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全球記憶體進入賣方市場 AI基建需求帶動DRAM與NAND價格激增 (2026.03.26)
根據產業分析報告，三星電子（Samsung Electronics）與SK海力士（SK hynix）計畫於2026年第二季大幅調升DRAM價格，顯示市場已由買方轉為賣方主導。由於供應商優先供貨給高效能運算（HPC）與AI加速器客戶，一般電子產品廠商恐面臨供貨短缺與採購成本攀升的雙重壓力 |
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AMD與三星策略合作 共同開發下一代AI記憶體解決方案 (2026.03.19)
AMD與三星電子宣布簽署合作備忘錄（MOU），雙方將在下一代AI記憶體與運算技術上擴大策略合作。簽署儀式於三星位於韓國平澤最先進的晶片製造園區舉行，由AMD董事長暨執行長蘇姿丰博士與三星電子副會長暨執行長全永鉉共同出席 |
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美光完成收購力積電銅鑼P5廠區 (2026.03.16)
美光科技已完成對力積電（PSMC）位於台灣苗栗縣銅鑼 P5 廠區之收購案並取得所有權。此項交易係依據雙方於 2026 年 1 月 17 日所宣布之收購協議完成。
銅鑼廠區將作為美光在台灣既有營運的重要補充，並與距離約15英里的台中大型廠區垂直整合，形成延伸與協同效益 |
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高頻記憶體如何重塑2026半導體版圖 (2026.02.24)
過去兩年間，我們見證了AI數據中心對大容量記憶體近乎瘋狂的渴求。這種需求不僅推升了SK海力士與三星的獲利表現，甚至引發了全球記憶體生產節奏的劇烈震盪。 |
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PCIe架構實現彈性記憶體擴充 協助邊緣AI高頻即時運算 (2026.02.24)
迎接5G通訊、AI 推論與即時資料處理等應用快速發展，邊緣系統必須同時面對傳輸延遲、流量波動與部署空間受限等多重挑戰；且因系統對記憶體容量與效能的需求持續攀升，卻受限於主機板設計，傳統 DIMM插槽數量逐漸成為記憶體擴充的瓶頸 |
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記憶體HBM4驗證Q2完成 3大原廠供貨NVIDIA格局成形 (2026.02.13)
因應AI基礎建設持續擴張， GPU需求也不斷成長，預期NVIDIA Rubin平台量產後，將可望帶動HBM4需求。目前關乎這波記憶體缺貨潮最關鍵的3大記憶體原廠HBM4驗證程序已至尾聲，預計於今年Q2陸續完成 |
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三星正式出貨商用HBM4 採用12層堆疊技術 (2026.02.12)
三星電子正式量產商用HBM4產品，並完成業界首次出貨。三星憑藉其第六代10奈米級DRAM製程（1c），實現穩定良率，無需額外重新設計即順利完成。
三星HBM4提供穩定的11.7Gbps的處理速度，相較業界標準8Gbps提升約46% |
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imec推出NanoIC製程設計套件 加速研發邏輯和記憶體微縮技術 (2026.02.03)
迎合現今AI熱潮對於先進邏輯和記憶體需求，由比利時微電子研究中心（imec）協調整合的歐洲研究計畫奈米晶片（NanoIC）試驗製程，持續致力於加速2奈米以後的晶片技術創新 |
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DRAM供需缺口有解 估2027年供給量可望上修 (2026.01.19)
基於2025年下半年開始，ASIC和AI推論應用發展，分別帶動HBM3e、DDR5等需求，促使DRAM（動態隨機存取記憶體）供需缺口持續擴大，並推升整體DRAM利潤率。除了大廠積極擴充產能，期待能在2027年上修供給量外，也不忘持續開發新品 |
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AI搶食記憶體產能 可能出現消費電子記憶體效能降低潮 (2026.01.12)
隨著 AI 數據中心與伺服器對大容量記憶體的需求持續暴增，記憶體巨頭美光（Micron）近日發出預警，記憶體供應短缺的狀況恐將延續至 2026 年底。這場由 AI 點燃的產能爭奪戰，正由企業端延燒至大眾消費市場，導致今年新機市場出現售價調漲、效能卻開倒車的奇特現象 |
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SK hynix：HBM將朝更高層數、更大容量與更低功耗方向演進 (2026.01.05)
SK hynix 發布 2026 年市場展望，指出隨著生成式 AI、資料中心與HPC需求持續升溫，以 HBM（高頻寬記憶體）為核心的先進記憶體產品，將成為驅動產業成長的關鍵動能，並有機會引領新一波AI記憶體超週期 |
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CES 2026:Etron to Showcase Award-Winning RPC DRAM and AI Edge Solutions (2026.01.02)
At 2026 CES, Etron will showcase the RPC inside G120 subsystem, which recently won the Taiwan Hsinchu Science Park 2025 Innovative Product Award. This solution incorporates Etron’s innovative RPC DRAM, which delivers x16 DDR3 data bandwidth in a compact Known-Good-Die or FI-WLCSP package |
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記憶體暴利時代降臨 三星、SK海力士毛利率首度超車台積電 (2025.12.23)
全球半導體產業的獲利結構正迎來一場歷史性的變革。隨著AI從「模型訓練」全面跨入「大規模推理」階段，市場對高頻寬記憶體（HBM）與企業級 SSD 的需求呈現爆炸式成長 |
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佈局Physical AI！鈺創以MemorAiLink技術進擊群機智慧與AI記憶體市場 (2025.12.18)
鈺創科技（Etron）今日在CES 2026展前記者會上宣佈，將以「MemorAiLink show up」為核心主軸，全面展示賦能AI的創新技術與邊緣AI解決方案。本次展覽以MemorAiLink一站式開發平台為核心，重點推出智慧視覺感測下的「群機智慧」機器人準系統平台，以及三度榮獲CES全球創新獎的隱私AI機器人決策系統 |
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三星發表10奈米以下DRAM技術 結合CoP架構與耐熱新材料 (2025.12.17)
三星電子(Samsung)與三星綜合技術院(SAIT)，週二在舊金山舉行的IEEE第70屆國際電子元件會議(IEDM)上，正式發表了製造10奈米(nm)以下DRAM的關鍵技術。該技術透過Cell-on-Peri(CoP)架構將記憶體單元堆疊在周邊電路上，並導入新型高耐熱材料，成功克服製程中的高溫挑戰，為記憶體微縮化開啟新頁 |
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以工廠化思維重塑資料中心 英特爾IT資料中心策略驅動企業轉型 (2025.12.16)
面對半導體設計、先進製造與高效能運算（HPC）需求的高速成長，英特爾（Intel）正重新定義資料中心在企業營運中的角色。根據最新發布的《Intel IT 資料中心策略白皮書（2025）》 |
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鈺創RPC inside G120獲園區創新獎 全球最小AI次系統劍指2026 CES (2025.12.15)
鈺創科技今日宣布，其「RPC inside G120次系統」獲2025年科學園區優良廠商創新產品獎，並計畫於2026年CES展出。該產品透過鈺創MemorAiLink平台開發，整合雙RGB感測器、RPC DRAM與eSP906U晶片，打造出全球體積最小的影像類AI次系統，鎖定機器人視覺與Edge AI市場 |
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突破DRAM物理極限 鎧俠發表8層堆疊氧化物半導體通道電晶體技術 (2025.12.14)
記憶體廠鎧俠(Kioxia)日前宣布，已開發出極具堆疊潛力的氧化物半導體通道電晶體技術，這將推動高密度、低功耗3D DRAM的實際應用。該技術於12月10日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子元件會議(IEDM)上發表，不僅證實了8層堆疊電晶體的運作，更可望降低包括AI伺服器和IoT物聯網元件在內的廣泛應用功耗 |
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imec採用系統技術協同優化 減緩HBM與GPU堆疊3D架構的散熱瓶頸 (2025.12.09)
於本周舉行的2025年IEEE國際電子會議（IEDM）上，比利時微電子研究中心（imec）發表了首篇針對3D 高頻寬記憶體（HBM）與圖形處理器（GPU）堆疊元件（HBM-on-GPU）的系統技術協同優化（STCO）熱學研究，這種元件是下一代人工智慧（AI）應用的潛力運算架構 |
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全球半導體市場強勢復甦 上半年出貨達3,460億美元 (2025.12.01)
全球半導體景氣在 AI 與高效能運算（HPC）需求推動下持續升溫。根據世界半導體貿易統計組織（WSTS）最新發布的報告，2025 年上半年全球半導體市場出貨總額達 3,460 億美元，較去年同期成長 18.9%，寫下疫情後最強勁的上半年成績 |
