英飛凌科技和 Panasonic 公司，已針對共同開發及生產第二代 (Gen2) 氮化鎵 (GaN) 技術簽訂合約，基於已獲認可接受的GaN技術，Gen2技術將提供更高效率和功率密度水準。

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為了因應市場需求，Gen2 將會開發為 650 V GaN HEMT。該裝置具備易使用性和更高的性價比，主要應用包括高功率與低功率的 SMPS 應用、再生能源、馬達驅動等。

對許多設計而言，氮化鎵 (GaN) 可提供比矽更多的基礎優勢。與矽 MOSFET 相比，GaN HEMT 具備出色的特定動態導通電阻和較小的電容，因此符合高速切換的要求。能達到省電、系統總成本降低、可在較高頻率下操作、提高功率密度和整體系統效率等效益，使 GaN 成為對設計工程師而言極有吸引力的選項。

英飛凌電源與感測系統事業部總裁 Andreas Urschitz 表示：「除了具備與第 1 代相同的高可靠性標準外，由於改採 8 吋晶圓製造，客戶將可受惠於更易於控制的電晶體以及大幅改善的成本定位。」如同雙方合作開發的第 1 代裝置 (英飛凌 CoolGaN 和 Panasonic X-GaN)，第二代裝置將會以常關型矽基氮化鎵 (GaN-on-silicon) 電晶體結構為基礎。在此基礎上結合混合汲極嵌入式閘極注入電晶體 (HD-GIT) 結構無可比擬的穩固性，讓這些元件成為市場上的首選產品，同時成為長期最可靠的解決方案之一。

Panasonic 工業解決方案公司工程部門副總監 Tetsuzo Ueda 表示：「我們很高興能夠和英飛凌在 GaN 元件方面繼續合作。在這樣的合作下，我們將透過最新創新發展，供應高品質的第 1 代和第 2 代裝置。」