Unity半導體公司不斷致力於新記憶體技術的開發，不久前該公司宣佈成功開發一種可取代NAND Flash的新記憶體技術，相信不久以後，NAND Flash為記憶卡和固態硬碟唯一解決方案的局面將出現大幅改變。

Unity的目標是挑戰業界最小的晶片尺寸和最低的成本。該公司透過多層儲存陣列結構，和一種名為CMOx的新型關鍵技術來實現這項目標。CMOx主要是在伴有離子運動的半導體製程中，加入一種導電性金屬氧化物新材料。

該公司所擁有的新一代NVM技術CMOx，採用CMOx技術的記憶體產品能擁有高性價比，這使得Unity有能力直取快閃記憶體的替代市場大位。目前CMOx主要針對新興市場應用，如固態硬碟、行動上網裝置和智慧型手機等。根據市調機構預測，到了2012年，這些應用市場將有90％以上產品採用嵌入式快閃記憶體。

CMOx是一種新一代NVM技術，它採用Unity的專利技術，能在特定的金屬氧化物組合中發生轉換效應。Unity在CMOx中使用的轉換概念不同於傳統的快閃記憶體技術。CMOx技術的儲存效應來自於離子載流子的運動。由於不需要儲存單元電晶體，CMOx可用於產生被動式交叉點多層儲存陣列。其他的儲存技術，如相變化記憶體（PCM）和磁性隨機存取記憶體（MRAM）等，每個儲存單元都需要一個電晶體，因此不符合交叉點多層晶片結構的要求。

除了技術創新，Unity的其他技術優勢，還包括可將前段（FEOL）的CMOS晶片製程與後段（BEOL）的記憶體層製程分離。CMOS晶片不需要新的製程技術，可在CMOS邏輯產線進行生產，以現有的產能，只需擁有90奈米的CMOS後段製程即可。

根據市場研究機構的預測，Unity樂觀預估，到了2010年，該公司的記憶體市場規模將達到150億美元左右，2013年則將超過250億美元。