 |
研究：記憶體資源限制加劇 AI驅動的供應轉移正重塑市場格局 (2026.04.20)
全球電子協會（Global Electronics Association）發佈的最新報告指出，AI正佔用全球日益增加的記憶體供應比例，導致各產業電子製造商面臨交期延長、價格上漲以及市場不確定性加劇的局面 |
|
分析：中國半導體產業將迎來關鍵的黃金三年 (2026.04.14)
隨著全球地緣政治局勢持續緊繃，半導體供應鏈的自主化已成為大國博弈的核心。投資銀行摩根士丹利（Morgan Stanley）近期發布深度產業報告，預測中國半導體產業將迎來關鍵的黃金三年 |
 |
AI基礎建設帶動記憶體與先進封裝需求 半導體產值將達9750億美元 (2026.03.31)
在AI基礎設施持續擴張的推動下，全球半導體產值今年可能高達9750億美元高峰。根據Deloitte發布的最新展望，2026年半導體銷售額增長預計將加速至26%。然而，這波景氣榮景正伴隨著「高利潤、低容量」的結構性風險，特別是在AI專用記憶體與CoWoS先進封裝領域，供應鏈的緊縮已引發市場對核心組件價格進一步飆升的擔憂 |
|
AI基礎建設帶動記憶體與先進封裝需求 半導體產值將達9750億美元 (2026.03.31)
在AI基礎設施持續擴張的推動下，全球半導體產值今年可能高達9750億美元高峰。根據Deloitte發布的最新展望，2026年半導體銷售額增長預計將加速至26%。然而，這波景氣榮景正伴隨著「高利潤、低容量」的結構性風險，特別是在AI專用記憶體與CoWoS先進封裝領域，供應鏈的緊縮已引發市場對核心組件價格進一步飆升的擔憂 |
|
全球記憶體進入賣方市場 AI基建需求帶動DRAM與NAND價格激增 (2026.03.26)
根據產業分析報告，三星電子（Samsung Electronics）與SK海力士（SK hynix）計畫於2026年第二季大幅調升DRAM價格，顯示市場已由買方轉為賣方主導。由於供應商優先供貨給高效能運算（HPC）與AI加速器客戶，一般電子產品廠商恐面臨供貨短缺與採購成本攀升的雙重壓力 |
|
全球記憶體進入賣方市場 AI基建需求帶動DRAM與NAND價格激增 (2026.03.26)
根據產業分析報告，三星電子（Samsung Electronics）與SK海力士（SK hynix）計畫於2026年第二季大幅調升DRAM價格，顯示市場已由買方轉為賣方主導。由於供應商優先供貨給高效能運算（HPC）與AI加速器客戶，一般電子產品廠商恐面臨供貨短缺與採購成本攀升的雙重壓力 |
|
自旋電子結構可實現更高儲存密度 未來或將改變記憶體與運算產業 (2026.02.10)
在全球持續尋求突破傳統電子元件極限的背景下，最新發布的《2026 Skyrmionics Roadmap》研究報告，為下一代計算與儲存技術勾勒出一幅極具前景的藍圖。報告指出，一種名為拓撲自旋結構（skyrmions）的微小磁性結構，正成為自旋電子學（spintronics）與超高密度記憶體發展的關鍵拼圖，可能重塑未來電子裝置的運作方式 |
|
自旋電子結構可實現更高儲存密度 未來或將改變記憶體與運算產業 (2026.02.10)
在全球持續尋求突破傳統電子元件極限的背景下，最新發布的《2026 Skyrmionics Roadmap》研究報告，為下一代計算與儲存技術勾勒出一幅極具前景的藍圖。報告指出，一種名為拓撲自旋結構（skyrmions）的微小磁性結構，正成為自旋電子學（spintronics）與超高密度記憶體發展的關鍵拼圖，可能重塑未來電子裝置的運作方式 |
|
慧榮入選2026全球百大創新機構 反映AI時代儲存控制的戰略價值 (2026.02.02)
慧榮科技獲科睿唯安（Clarivate）評選為「2026 全球百大創新機構」（Top 100 Global Innovators 2026）。這項評選已邁入第 15 屆，被視為衡量企業長期創新能力與專利影響力的重要指標，而慧榮科技首度入榜，也凸顯出在當前 AI 與資料驅動經濟下，儲存控制技術的戰略價值正快速提升 |
|
慧榮入選2026全球百大創新機構 反映AI時代儲存控制的戰略價值 (2026.02.02)
慧榮科技獲科睿唯安（Clarivate）評選為「2026 全球百大創新機構」（Top 100 Global Innovators 2026）。這項評選已邁入第 15 屆，被視為衡量企業長期創新能力與專利影響力的重要指標，而慧榮科技首度入榜，也凸顯出在當前 AI 與資料驅動經濟下，儲存控制技術的戰略價值正快速提升 |
|
DRAM供需缺口有解 估2027年供給量可望上修 (2026.01.19)
基於2025年下半年開始，ASIC和AI推論應用發展，分別帶動HBM3e、DDR5等需求，促使DRAM（動態隨機存取記憶體）供需缺口持續擴大，並推升整體DRAM利潤率。除了大廠積極擴充產能，期待能在2027年上修供給量外，也不忘持續開發新品 |
|
DRAM供需缺口有解 估2027年供給量可望上修 (2026.01.19)
基於2025年下半年開始，ASIC和AI推論應用發展，分別帶動HBM3e、DDR5等需求，促使DRAM（動態隨機存取記憶體）供需缺口持續擴大，並推升整體DRAM利潤率。除了大廠積極擴充產能，期待能在2027年上修供給量外，也不忘持續開發新品 |
|
SK hynix：HBM將朝更高層數、更大容量與更低功耗方向演進 (2026.01.05)
SK hynix 發布 2026 年市場展望，指出隨著生成式 AI、資料中心與HPC需求持續升溫，以 HBM（高頻寬記憶體）為核心的先進記憶體產品，將成為驅動產業成長的關鍵動能，並有機會引領新一波AI記憶體超週期 |
|
SK hynix：HBM將朝更高層數、更大容量與更低功耗方向演進 (2026.01.05)
SK hynix 發布 2026 年市場展望，指出隨著生成式 AI、資料中心與HPC需求持續升溫，以 HBM（高頻寬記憶體）為核心的先進記憶體產品，將成為驅動產業成長的關鍵動能，並有機會引領新一波AI記憶體超週期 |
|
面對3D堆疊與混合接合挑戰 晶圓量測進入超高速時代 (2025.11.20)
隨著半導體邁向更小製程節點、3D堆疊與先進封裝設計，晶圓幾何形貌的微小差異，已成為影響良率與性能的關鍵變因。晶片設計愈複雜，材料疊層愈多，製程整合挑戰也隨之放大，在混合接合、晶背供電與高堆疊NAND等先進技術導入下，僅有奈米級的翹曲或高度偏差，都可能造成對準偏移（overlay error）、接合空隙或電性不良 |
|
面對3D堆疊與混合接合挑戰 晶圓量測進入超高速時代 (2025.11.20)
隨著半導體邁向更小製程節點、3D堆疊與先進封裝設計，晶圓幾何形貌的微小差異，已成為影響良率與性能的關鍵變因。晶片設計愈複雜，材料疊層愈多，製程整合挑戰也隨之放大，在混合接合、晶背供電與高堆疊NAND等先進技術導入下，僅有奈米級的翹曲或高度偏差，都可能造成對準偏移（overlay error）、接合空隙或電性不良 |
|
群聯於SC25推出新一代PASCARI企業級SSD (2025.11.19)
NAND控制晶片暨NAND儲存解決方案整合服務領導廠商 群聯電子 於 (2025/11/19) 在SC25展覽 (Super Computing 2025) 宣布推出新一代 PCIe Gen5 企業級 SSD——Pascari X201 與 Pascari D201，且同步展示一台整合 iGPU (integrated GPU) 與 Phison aiDAPTIV+技術的AI PC筆電並直接執行 AI Agents 的效能成果 |
|
群聯於SC25推出新一代PASCARI企業級SSD (2025.11.19)
NAND控制晶片暨NAND儲存解決方案整合服務領導廠商 群聯電子 於 (2025/11/19) 在SC25展覽 (Super Computing 2025) 宣布推出新一代 PCIe Gen5 企業級 SSD——Pascari X201 與 Pascari D201，且同步展示一台整合 iGPU (integrated GPU) 與 Phison aiDAPTIV+技術的AI PC筆電並直接執行 AI Agents 的效能成果 |
|
應材研發新一代半導體製造系統 將大幅提升AI晶片效能 (2025.10.09)
迎接全球AI基礎建設熱潮，美商應用材料公司近日也發表最新半導體製造系統，將專注在3大關鍵領域，分別是環繞式閘極（GAA）、電晶體在內的前瞻邏輯製程、高頻寬記憶體（HBM）在內的高效能DRAM等 |
|
應材研發新一代半導體製造系統 將大幅提升AI晶片效能 (2025.10.09)
迎接全球AI基礎建設熱潮，美商應用材料公司近日也發表最新半導體製造系統，將專注在3大關鍵領域，分別是環繞式閘極（GAA）、電晶體在內的前瞻邏輯製程、高頻寬記憶體（HBM）在內的高效能DRAM等 |
