STMicroelectronics目前推出其新一代完全自动保护低电压功率MOSFET电晶体的第一个成员，以原OMNIFET系列产品为基础，新的OMNIFET II系列采用了最新的VIPower M0-3技术，可以透过降低导通电阻、缩小架构体积以及更佳的稳固度和崩溃功率处理能力来达到更低的导通功率损耗。

VIPower M0-3为一种垂直式智慧型功率(smartpower)技术，可以将功率MOSFET电晶体与类比及数位线路整合在一起，输出功率级部份的垂直架构可以达到相当高的电流密度，并且由于能够将闸汲极之间的电压主动截波，限制在崩溃临界点之下，因此能让元件拥有无比的稳固性与能量处理能力。

新推出的产品包含一系列的功率MOSFET电晶体，内含有使用者不需烦心的截波以及保护线路，包括线性电流限制、过电压截波线路、短路保护、闸极的ESD防护以及直接在功率架构的热点加上内建感测器所形成的快速反应过热保护等等，其他OMNIFET II系列的优点还包括有提供到MOSFET闸极的直接连结，使得这些元件可以利用类比或者是数位逻辑位准信号来驱动，同时并提供有负载状况经过闸极输入接脚回馈的诊断机制，可以与逻辑线路或微处理器控制系统简易整合，对负载做即时的控制。