英飞凌科技旗下1200V CoolSiC MOSFET模组系列新添62mm工业标准模组封装产品。62mm封装之产品采用半桥拓扑设计及沟槽式晶片技术，已受到业界的肯定。此封装为碳化矽打开了250kW以上（此为矽基IGBT技术在62mm封装的功率密度极限）中等功率应用的大门。相较於一般的62mm IGBT模组，碳化矽的应用范围更扩展至太阳能、伺服器、储能、电动车充电桩、牵引以及商用感应电磁炉和功率转换系统等。

该62mm模组配备了英飞凌CoolSiC MOSFET，可实现极高的电流密度，分别提供6mΩ/250A，3mΩ/357A和2mΩ/500A型号选择。

该62mm模组配备了英飞凌CoolSiC MOSFET ，可实现极高的电流密度。其极低的开关损耗和导通损耗可减小散热元件尺寸。在高开关频率下运作时，可使用更小的磁性元件。透过英飞凌CoolSiC晶片技术，客户可以设计出尺寸更小的变频器，从而降低整体系统成本。

新产品采用62mm标准基板和螺丝固定方式，具有高强固性的外壳结构设计，且设计经过最隹化，可达到最高的系统可用性，同时降低维修成本以及停机损失。出色的温度循环能力和150。C的连续工作温度（T_vjop），带来出色的系统可靠性。其对称性的内部设计，能让上下开关达到相同的切换条件。亦可选配「热介面材料」（TIM），以进一步提高模组的热效能。

采用62mm封装的CoolSiCMOSFET 1200 V分别提供6mΩ/250A、3mΩ/357A和2mΩ/500A 型号选择。另外还推出有助快速特性化(双脉冲/连续作业) 的评估板，为便於使用，还提供了可弹性调整的闸极电压和闸极电阻。此外，还可作为批量生产驱动器板的叁考设计。