【德国慕尼黑讯】英飞凌科技(Infineon)推出采用 D2PAK 7pin+封装的40 V MOSFET，让 StrongIRFET系列产品更臻完备。全新MOSFET系列提供极低的 0.65 mΩ RDS(on)以及高电流输送能力，因此提升耐用性与可靠性，适用于需要高效率与可靠性的高功率密度应用。表面黏着 D2PAK 7pin+ 封装则适用于低电压驱动、电池供电工具以及轻型电动车应用。

英飞凌全新 D2PAK 7pin+封装产品让封装类型已相当多元的 StrongIRFET 系列更加丰富，亦为因应各种设计挑战提供理想的功率元件选项。

全新 D2PAK 7pin+ 封装产品让封装类型已相当多元的 StrongIRFET 系列更加丰富，亦为因应各种设计挑战提供理想的功率元件选项。另外，此新款封装可互换脚位配置亦提供了前所未有的设计弹性。相较于标准 D2PAK 7pin 封装，此全新系列可提供低 15% 的 RDS(on)，以及低 39% 的接面至 PCB 热阻。

此封装经最佳化，可使用的裸晶面积增加 20%，而外型尺寸与脚位配置则与标准 D2PAK 7pin 相同。因此可轻松取代传统的D2PAK 7pin与H2PAK封装。另外，此封装的设计在具有逻辑位准的临界电压，可从微控制器直接驱动MOSFET。如此可节省 PCB 空间，特别是电池供电的工具，PCB空间经常是受到限制的设计因素。

采用 D2PAK 7pin+ 封装的 StrongIRFET 已开始供货。