富士通微電子宣布推出兩款新消費性FCRAM記憶體晶片，為首顆可承受125°C高溫運作範圍的記憶體，並可支援DDR SDRAM介面。此兩款新FCRAM產品開始提供樣本，包括512Mbit規格的MB81EDS516545晶片產品、以及256Mbit規格的MB81EDS256545晶片產品。此系列低功耗消費性記憶體，可針對系統級封裝(SiP)進行最佳化，以支援包括數位電視與數位錄影機等數位消費性產品。

廠商將藉由採用此新款結合SiP組態系統單晶片的FCRAM晶片，而增加許多競爭優勢，即使因為運作速度提高，SiP的溫度隨之升高，但整個元件仍可維持順利運作，而不會受到記憶體的影響或限制。此外，還可提供客戶如減少產品開發投入資源、縮小機板空間、以及減少元件數量等方面的優勢。

現今的數位消費性產品不斷要求更高效能、更快速度、以及更低成本。為滿足這些方面的需求，越來越多業者開始運用結合SoC記憶體晶片的SiP產品。採用SiP能減少必要的元件數量，並減少機板空間，進而協助降低系統成本。SiP亦可簡化設計，像是開發高速記憶體介面，或是降低雜訊的措施。