英飛凌新一代1200V CoolSiC溝槽式MOSFET 推動電動出行的發展

英飛凌推出採用TO263-7封裝的新一代車規級1200 V CoolSiC MOSFET。這款新一代車規級碳化矽（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠實現雙向充電功能，並顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC應用的系統成本。

圖一 : 英飛凌推出 TO263-7 封裝的新一代 1200 V CoolSiC 溝槽式 MOSFET

相比第一代產品，1200 V CoolSiC系列的開關損耗降低了25%，具有同類最佳的開關性能。這種開關性能上的改進實現了高頻運行，縮小了系統尺寸並提高了功率密度。由於閘極-源極閾值電壓（VGS(th)）大於4V且Crss/Ciss比率極低，因此在VGS=0 V時可實現可靠的關斷，而且沒有寄生導通的風險。這使得單極驅動成為可能，從而降低了系統成本和複雜性。另外，新一代產品具有低導通電阻（RDS(on)），減少了-55℃至175℃溫度範圍內的導通損耗。

先進的擴散焊接晶片貼裝工藝（.XT技術）顯著改善了封裝的熱性能，相比第一代產品，SiC MOSFET的接面溫度降低了25%。
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