美高森美瞄準工業和汽車市場推出新型SiC MOSFET和SiC SBD

美高森美公司(Microsemi Corporation)宣佈提供下一代1200V 碳化矽(SiC) MOSFET系列的首款產品 40 mOhm MSC040SMA120B器件，以及與之配合的1200 V SiC蕭特基阻障二極體(SBD)，進一步擴大旗下日益增長的 SiC 離散器件和模組產品組合。

全新SiC MOSFET產品系列具有高雪崩性能，展示了在工業、汽車和商業航空電源應用中的耐用性，並且提供了實現穩健運作的高耐短路能力。此外，該產品系列的其他成員將在未來幾個月內陸續發佈，包括符合商業和AEC-Q101標準的700 V和1200 V SiC MOSFET解決方案，以配合美高森美新發佈的SiC SBD器件所針對的廣泛電源應用。

美高森美副總裁兼功率離散和模組業務部門經理Leon Gross表示：「我們新的SiC MOSFET產品系列為客戶提供了更高效開關和高可靠性的優勢，特別是與矽二極體、矽MOSFET和絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 解決方案相比，我們的優勢更加明顯。專注於開發用於惡劣環境的高性價比電力電子解決方案的客戶，可以從這些新一代產品中選擇理想的解決方案，它們都能夠根據具體的SiC MOSFET需求進行擴展。」
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