CTIMES- 意法半導體電隔離柵極驅動器控制並保護SiC、MOSGET、IGBT :電隔離柵極驅動器,SiC,MOSFET,IGBT,ST,意法半導體

意法半導體電隔離柵極驅動器控制並保護SiC、MOSGET、IGBT

作者： | 2018年08月15日星期三

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意法半導體（STMicroelectronics）的STGAP2S單路隔離柵極驅動器提供26V的最大柵極驅動輸出電壓，能讓使用者選擇獨立的導通／關斷輸出或內部主動米勒鉗位功能，其可使用於各種開關拓撲控制碳化矽（SiC）或矽MOSFET和IGBT功率電晶體。

圖一 : 意法半導體功能豐富的電隔離柵極驅動器控制並保護碳化矽或矽功率電晶體。

STGAP2SCM配備一個主動米勒鉗位專用腳位，提供一個防止半橋架構意外導通的簡便解決方案。在MOSFET關斷狀態時，該腳位可將MOSFET柵極電壓限制在隔離接地電壓，直到下一個真正的導通訊號出現為止。

STGAP2SM具有獨立的導通／關斷輸出，可搭配兩個外部柵極電阻來優化電晶體開關性能。
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意法半導體電隔離柵極驅動器 控制並保護SiC、MOSGET、IGBT