東芝新一代600V平面MOSFET系列 結合高效率及低雜訊

東芝電子元件及儲存裝置株式會社推出「第九代π-MOS」，全新600V平面式MOSFET系列，量產出貨於即日起啟動。

圖一 : 第九代π-MOS，全新600V平面式MOSFET系列

第九代π-MOS系列採用最佳化的晶片設計，與現有的第七代系列相比，其EMI雜訊峰值低5dB[1]，但同時又保持了相同水準效率。它提供更大的設計自由度進而助於減少設計的工作量，可應用於筆電AC變壓器及遊戲機充電器中的小型電源供應器和照明電源供應器。另外，此系列具備相同的額定雪崩電流和額定直流電流，可輕鬆取代現有的MOSFET。

東芝為擴大第九代π-MOS系列之產品陣容，往後將陸續推出更多500V、 600V和650V元件，提供客戶更多產品選擇。
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