東芝推出汽車 40V N 溝道功率 MOSFET採用新型高散熱封裝

近年來，電動汽車的進展推動對於適應汽車設備功耗增加的組件的需求。東芝電子推出汽車40V N溝道功率 MOSFET—XPQR3004PB和 XPQ1R004PB，它們使用新的 L-TOGL（大型晶體管外形鷗翼引線）封裝，並且具有高漏極電流額定值和低導通電阻，今日開始供貨。

圖一 : 東芝發布採用新型高散熱封裝的汽車 40V N 溝道功率 MOSFET，能夠支持汽車設備的更大電流。

新品採用東芝全新的L-TOGL封裝，支持大電流、低電阻、高散熱。產品沒有內部柱結構，通過銅夾將源極連接部分和外部引線統一起來。源極引線的多引腳結構將封裝電阻降低到現有 TO-220SM（W）封裝的 30% 左右，從而將 XPQR3004PB 的漏極電流（DC）額定值提高到 400A。使用厚銅框架已將 XPQR3004PB 中的通道到外殼熱阻抗大幅降低，這些特性有助於更大的電流和更低的汽車設備損耗。

憑藉新的封裝技術，新產品將簡化散熱設計，減少半導體繼電器和需要大電流的集成啟動發電機的逆變器等應用中所需的MOSFET數量，並有助於減小設備尺寸。由於汽車設備在不同的溫度環境中使用，表面安裝中焊點的可靠性是關鍵考慮因素之一。新產品採用鷗翼式引線，可降低安裝應力，提高焊點的可靠性。
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