美高森美下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V SBD

美高森美公司 (Microsemi Corporation) 宣佈在下季初擴大其碳化矽(SiC) MOSFET和SiC二極體產品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 蕭特基勢壘二極體(SBD)和相應的裸晶片。

美高森美將參展六月五日至七日在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM歐洲電力電子展，在6號展廳318展位展示這些SiC解決方案以及SiC SBD/MOSFET產品系列中的其他最新器件。

美高森美繼續擴大其SiC產品系列的開發工作，已經成為向市場提供一系列Si和SiC的離散式和功率模組解決方案的少數供應商之一。
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