美高森美推出專門用於SiC MOSFET的極低電感SP6LI封裝

美高森美公司(Microsemi Corporation) 發佈專門用於高電流、低導通阻抗(RDSon) 碳化矽 (SiC) MOSFET功率模組的極低電感封裝。

圖一 : 美高森美推出專門用於SiC MOSFET的極低電感SP6LI封裝，實現高電流、高開關頻率和高效率。

這款全新封裝專為用於其SP6LI 產品系列而開發，提供適用於SiC MOSFET技術的2.9 nH雜散電感，同時實現高電流、高開關頻率以及高效率。美高森美將在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM 歐洲電力電子展上展示使用新封裝的SP6LI功率模組，以及其他現有產品系列中的SiC功率模組產品。

美高森美繼續擴展其SiC解決方案的開發工作，已經成為向市場提供一系列Si/ SiC功率離散式和模組解決方案的少數供應商之一。
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