安森美半導體推出900V和1200V SiC MOSFET 用於高要求高增長應用

推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor)推出另兩個碳化矽(SiC)MOSFET系列，擴展了其寬能隙(WBG)元件系列。這些新元件適用於各種高要求的高增長應用，包括太陽能逆變器、電動汽車(EV)車載充電、不斷電電源設備(UPS)、伺服器電源和EV充電站，提供的性能水準是矽(Si)MOSFET根本無法實現的。

安森美半導體的新的1200伏（V）和900V N型通道SiC MOSFET提供比矽更快的開關性能和更高的可靠性。快速本征二極體具有低反向恢復電荷，顯著降低損耗，提高工作頻率以及整體方案的功率密度。

小晶片尺寸進一步增強高頻工作，達至更小的元件電容和更低的閘電荷-Qg（低至220 nC），從而降低在高頻下工作時的開關損耗。這些增強功能比基於Si的MOSFET提高能效，降低電磁干擾(EMI)，並可使用更少（或更小）的被動元件。極強固的SiC MOSFET比Si元件提供更高的浪湧額定值、更好的雪崩能力和更高的抗短路性能，從而提供更高的可靠性和更長的使用壽命，這對高要求的現代電源應用至關重要。 較低的正向電壓提供無閾值的導通狀態特性，減少元件導通時產生的靜態損耗。
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