ST推出隔離式閘極驅動器 可安全控制碳化矽MOSFET

半導體供應商意法半導體（ST）宣布推出STGAP系列隔離式閘極驅動器的最新產品STGAP2SiCS，可安全控制碳化矽（SiC）MOSFET，且作業電源電壓高達1200V。

圖一 : 意法半導體推出隔離式閘極驅動器，可安全控制碳化矽MOSFET。

STGAP2SiCS能夠產生高達26V的閘極驅動電壓，將欠壓鎖定（UVLO）閾壓提升到15.5V，滿足SiC MOSFET開關二極體正常導電要求。如果電源電壓低引起驅動電壓太低，UVLO保護機制將確保MOSFET處於關斷狀態，以免產生過多的耗散功率。這款驅動器有雙兩個輸入腳位，讓設計人員可以定義閘極驅動訊號的極性。

STGAP2SiCS在輸入和閘極驅動輸出之間設計6kV電氣隔離，電隔離有助於確保消費性電子和工業設備的用電安全。4A吸電流／拉電流驅動能力使其適用於高階家用電器、工業驅動裝置、風扇、電磁爐、電焊機、UPS不斷電供應系統等設備的高功率轉換器、電源和逆變器。
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