為了縮短SoC單晶片技術過於攏長的研發時程，並符合目前消費性電子輕薄短小且多功能的產品需求，市場開始尋求新一代的晶片整合技術，來因應越來越嚴峻的消費性市場挑戰，其中3D IC便是目前最受關注的技術之一。

圖一 : Aviza物理氣相沈積蝕刻化學氣相沈積業務行銷副總裁David Butler（左）、台灣分公司總經理周雷琪（右）

所謂的3D IC，就是利用先進的晶圓堆疊技術，將不同功能的晶粒利用3維的結構堆疊起來。相較於傳統的2維堆疊方式，3D IC不但傳遞路徑縮短、運作速度更快，同時電耗也更低；此外，3D IC在封裝的體積與面積中，晶粒的針腳密度也增加，而晶片體積也縮小。整體而言，在生產成本與性能上都更具優勢。

而要實現3D IC的技術，最重要的便是讓堆疊的晶粒能夠正確的互連。常見的技術有傳統的線構裝（Wire Bonding）與新一代的直通矽晶穿孔技術（Through Silicon Via；TSV），其中TSV技術在電氣傳遞路徑上較短，且沒有堆疊晶粒數目的限制，因此在運作的性能上更加快速，是目前最熱門的3D IC關鍵技術。
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