台湾两大记忆体厂南亚科技（Nanya Technology）与??创科技（Etron Technology）於今日共同宣布将合资新台币5亿元，成立一家专注於AI记忆体设计服务的新公司，将是抢攻AI边缘运算市场商机的关键一步。

根据协议，新公司将由南亚科持股80%，??创持股20%，总部将设立於新竹市。这家合资公司将结合南亚科在DRAM（动态随机存取记忆体）领域先进的制程技术与庞大产能，以及??创在记忆体设计领域累积多年的丰厚经验与创新能力，共同开发客制化的超高频宽记忆体（High-Bandwidth Memory, HBM），专门锁定高效能、低功耗的AI边缘运算应用。

此次合作案是「制造」与「设计」的结合。南亚科作为全球主要的DRAM供应商之一，拥有稳定的10奈米级制程技术与量产能力；而??创科技长年深耕利基型记忆体设计，在客制化产品开发上拥有高度灵活性与创新思维，正好能弥补大型DRAM厂较难以满足的少量多样市场需求。

南亚科表示，透过此次合资，将能更有效地运用公司现有的先进制程产能，切入高附加价值的客制化记忆体市场。??创则指出，与南亚科的合作将能加速其在AI领域的布局，并将设计好的产品快速导入量产，共同拓展AI边缘运算的多元应用商机。

过去AI运算高度集中在云端资料中心，然而随着物联网（IoT）装置的普及、智慧工厂、自动驾驶、无人机等应用的快速发展，即时反应、低延迟与数据隐私的需求日益增高，推动了AI运算由云端向边缘装置转移的「AI边缘运算」（Edge AI）浪潮。根据市场研究机构预测，全球AI边缘运算市场规模将在未来数年内呈现爆炸性成长。

在这些边缘装置中，无论是处理影像辨识、自然语言处理还是感测器数据融合，都需要在有限的功耗和体积下，实现高效的数据处理。这也使得传统的记忆体架构面临瓶颈，为客制化、高效能的记忆体解决方案创造了庞大的市场需求。

HBM透过3D堆叠技术，能在极小的体积内实现远高於传统DDR记忆体的频宽，同时降低功耗，是当前高效能运算（HPC）与AI加速器的核心元件。然而，目前市场上的HBM主要由国际大厂所主导，且规格相对标准化，难以完全满足多样化且碎片化的边缘运算应用场景。

南亚科与??创合资的新公司，其核心目标正是开发「客制化」的超高频宽记忆体。这意味着他们可以根据不同边缘应用（如智慧监控摄影机、工业电脑、AR/VR装置等）的特定需求，在频宽、容量、功耗和尺寸上进行最隹化设计，提供更具竞争力的解决方案。这不仅能开创出新的蓝海市场，也能避开与国际大厂在标准型HBM市场的直接竞争。