国研院半导体中心与旺宏电子合作，成功开发「新型高密度、高频宽3D动态随机存取记忆体（3D DRAM）」，此技术突破传统2D记忆体限制，采用3D堆叠技术，大幅提升记忆体密度与效能，且具备低功耗、高耐用度优势，有助於提升AI晶片效能。

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此新型3D DRAM采用无电容设计，以两颗氧化????锌（IGZO）电晶体串联储存资料，大幅缩小元件尺寸，并提升资料保存时间，降低能耗。

此外，双方结合国研院的「积层型3D晶片制程服务平台」与旺宏电子的Bit-Cost Scalable专利制程技术，成功解决3D堆叠记忆体制程上的技术难题。

目前全球仅有少数顶尖团队研发3D DRAM，国研院与旺宏的合作成果有??在未来量产後，取得世界领先地位，并为台湾半导体产业在高阶记忆体领域开创新局。