意法半導體（STMicroelectronics，ST）與半導體材料設計製造公司Soitec宣布下一階段的碳化矽（Silicon Carbide，SiC）基板合作計畫，意法半導體準備於18個月內完成Soitec碳化矽基板技術產前認證測試。此次合作目標為意法半導體採用Soitec的SmartSiC技術製造未來8吋碳化矽基板，促進碳化矽元件與模組製造之業務，這項技術有望在中期實現並量產。

意法半導體汽車和離散元件部總裁 Marco Monti表示，「汽車和工業客戶正在加速推動系統及產品電動化，升級至8吋SiC晶圓將為其帶來巨大益處，產品產量提升對於推動規模經濟非常重要。我們選擇利用垂直整合的製造模式，從高品質的基板到大規模的前段製程和後段封測在整個製造鏈中充分利用意法多年累積的專業技術，而與Soitec技術合作目標旨在持續提升製造良率和品質。」

Soitec營運長Bernard Aspar則表示，「隨著電動汽車時代的到來，汽車產業正面臨巨變。領先產業的SmartSiC技術是將我們專有的SmartCut製程用於碳化矽半導體材料，能夠在推動電動汽車普及化中發揮關鍵作用。Soitec的SmartSiC基板與意法產業領先的碳化矽技術及專長整合，必將改變汽車晶片製造的遊戲規則並樹立新標準。」

碳化矽（Silicon Carbide，SiC）是一種顛覆性的化合物半導體材料，在電動汽車及工業製程領域的高成長功率應用中，碳化矽材料之固有性質使碳化矽元件的性能及效能優於矽基半導體。碳化矽具有更高效率的電源轉換，亦能做出輕量型設計，節省整體系統設計成本——皆為汽車和工業系統成功之關鍵參數及要素。從6吋升級至 8吋晶圓，能夠大幅增加產能，製造整合電路的可用面積幾乎是增加一倍，每個晶圓上的有效出片量為升級前的1.8至1.9倍。

SmartSiC為Soitec獨家技術，此技術能從高品質的碳化矽供體晶圓上切出一個薄層，並將其黏合到待處理之低電阻多晶矽晶圓片表面，而加工後的基板便能提高晶片的性能及製造良率。優質的碳化矽供體晶圓亦可多次重覆使用，大幅降低供體加工的總能源消耗。