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科技
典故
Internet的起源

组成Internet的两大组件,一是作为传达内容的本体—超文本,另一个是传输的骨干—网络,网际骨干可追溯到1968年的美俄冷战时期,当时美国国防部的DARPA计划发展出ARPANET,网页结构则是由超文件(Hypertext)演变而来。
800V架构渐近 2025年电动车对6寸SiC晶圆需求将达169万片 (2021.12.01)
电动车市场对於延长续航里程及缩短充电时间有着极大需求,整车平台高压化趋势愈演愈烈,对此各大车企已陆续推出800V高压车型,例如Porsche Taycan、Audi Q6 e-tron、Hyundai Ioniq 5等
A*STAR微电子研究所和ST合作 研发电动汽车与工业用碳化矽 (2021.11.30)
科学技术研究局(A*STAR)微电子研究所(Institute of Microelectronics,IME)与意法半导体(STMicroelectronics)宣布,在汽车和工业市场功率电子设备用碳化矽(SiC)领域展开研发(R&D)合作
ST隔离式SiC闸极驱动器问世 采用窄型SO-8封装节省空间 (2021.11.04)
意法半导体(STMicroelectronics)新推出之STGAP2SiCSN是为控制碳化矽MOSFET而优化的单通道闸极驱动器,其采用了节省空间的窄体SO-8封装,具备稳定的效能和精准的PWM控制。 SiC功率技术被广泛使用於提升功率转换效率,而STGAP2SiCSN SiC驱动器可简化节能型电源系统、驱动和控制电路设计以节省空间,并加强稳定性和可靠性
安森美完成收购GT Advanced Technologies 强化碳化矽实力 (2021.11.02)
安森美(onsemi),於美国时间11月1日宣布,已完成对碳化矽(SiC)生产商GT Advanced Technologies(「GTAT」)的收购,确保和增加SiC供应的能力。 安森美的客户将受益於GTAT在晶体生长方面的丰富经验,及其在开发晶圆就绪的SiC方面令人叹服的技术能力和专业知识
「2021电源管理与电力设计研讨会」特别报导 (2021.10.27)
爱德克斯:高整合电驱系统当道 电机与电池模拟测试是关键 电动车产业正如火如荼的发展,包含台湾在内,各国政府也透过法令与补贴政策,全力推动电动车市场的成形
ROHM荣获UAES SiC功率解决方案优先供应商殊荣 (2021.10.27)
半导体制造商ROHM荣获中国车界Tier1供应商联合汽车电子有限公司(UAES)的SiC功率解决方案优先供应商殊荣。 UAES和ROHM自2015年开始技术交流以来,双方在采用SiC功率元件的车电应用产品开发方面建立了合作夥伴关系
正海集团与ROHM协议合资公司 发展碳化矽功率模组 (2021.10.22)
正海集团与ROHM签署合资协定,将共同成立一间主要经营功率模组事业的新公司。新公司名为上海海姆希科半导体有限公司(HAIMOSIC (SHANGHAI) CO., LTD.),计画於2021年12月在中国成立,出资比例为正海集团旗下的上海正海半导体技术有限公司占80%,ROHM占20%
中央大学携手是德 建立第三代半导体研发暨测试开放实验室 (2021.09.28)
是德科技(Keysight)携手国立中央大学光电科学研究中心(National Central University Optical Sciences Center),共同合作提高了GaN、SiC应用研发及测试验证之效率,并加速5G基建及电动车创新之步伐
UnitedSiC推出最小导通电阻6mΩ SiC FET 耗损仅竞品的一半 (2021.09.14)
碳化矽(SiC)功率元件的应用正快速且广泛的成长中,尤其是电动车相关的市场,而SiC元件的性能优劣也成为供应商的决胜点。而专注於碳化矽元件技术开发的美商UnitedSiC(联合碳化矽),今日推出了一款业界最隹的750V SiC FET产品,该元件的导通电阻(RDS on)仅有6mΩ,仅有竞争对手SiC MOSFET产品的一半,并提供了5μs额定短路耐受时间
应用材料助碳化矽晶片制造 加速升级至200毫米晶圆 (2021.09.09)
应用材料公司推出新产品,协助全球领先的碳化矽 (SiC) 晶片制造商,从150毫米晶圆制造升级为200毫米制造,增加每片晶圆裸晶 (die) 约一倍的产量,满足全球对优质电动车动力系统日益增加的需求
联华电子与??邦科技 经股份交换建立策略合作关系 (2021.09.06)
联华电子、宏诚创投(联电持股100%子公司)及??邦科技董事会今日分别通过股份交换案,联华电子及??邦科技两家公司将建立长期策略合作关系。 联电以先进制程技术提供晶圆制造服务,为IC产业各项应用产品生产晶片,并且持续推出尖端制程技术及完整的解决方案,以符合客户的晶片设计需求,所提供方案横跨14奈米到0.6微米之制程技术
盛美发布首台晶圆级封装和电镀应用电镀设备 (2021.08.31)
盛美半导体设备发布了新产品Ultra ECP GIII电镀设备,以支援化合物半导体(SiC, GaN)和砷化??(GaAs) 晶圆级封装。该系列设备还能将金(Au)镀到背面深孔制程中,具有更好的均匀性和台阶覆盖率
拓展碳化矽实力 安森美将收购GT Advanced (2021.08.26)
安森美(onsemi)和碳化矽 (SiC) 生产商GT Advanced Technologies (「GTAT」) 於美国时间8月25日宣布已达成最终协定,根据该协定,安森美将以4.15亿美元现金收购GTAT。 GTAT 成立於 1994 年,在包括 SiC 在内的晶体成长方面拥有丰富的经验
边缘运算推升伺服器需求 英飞凌让电源供应器更小更有效率 (2021.08.15)
全球的数据量正在加速爆走中,尤其是物联网和边缘运算应用被逐步导入市场之後,各种机器与设备的资料和数据,就日夜不停地被记录与传送到云端资料中心与伺服器之中,直接推升了各个领域对於伺服器的建置需求
意法半导体制造首批8寸碳化矽晶圆 (2021.08.13)
意法半导体(STMicroelectronics)宣布,ST瑞典Norrkoping工厂制造出首批8寸(200mm)碳化矽(SiC)晶圆,这些晶圆将用於生产下一代功率电子晶片产品原型。将SiC晶圆升级到8寸代表着ST针对汽车和工业客户的扩产计画获得重要阶段性的成功
吉利汽车与ROHM缔结碳化矽战略合作 加速汽车领域技术创新 (2021.08.08)
中国汽车制造商吉利汽车集团与ROHM缔结了战略合作夥伴关系,将共同致力於汽车领域的先进技术开发。近日,双方举行了战略合作协定的线上签约仪式。吉利董事长安聪慧与ROHM董事长松本功均出席了该签约仪式
Microchip推出耐固性最强的碳化矽功率解决方案 取代矽IGBT (2021.07.28)
Microchip Technology Inc.今日宣布扩大其碳化矽产品组合,推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化矽MOSFET裸片、分离元件和电源模组。 Microchip的1700V碳化矽技术是矽IGBT的替代产品
科锐携手迈凌科技 实现新型超宽频5G技术 (2021.07.14)
科锐 (Cree, Inc.,)宣布,与美商迈凌科技(MaxLinea)成功合作,结合科锐 Wolfspeed碳化矽基氮化??(GaN-on-SiC)中频功率放大器,和美商迈凌科技超宽频线性化解决方案(MaxLin),增加了 5G 基地台的无线容量,可支援更多人同时使用,并且提高了资料传输速度
ROHM内建SiC二极体IGBT(Hybrid IGBT)「RGWxx65C系列」 损耗减少67% (2021.07.13)
半导体制造商ROHM开发出650V耐压、内建SiC萧特基二极体的IGBT(Hybrid IGBT)「RGWxx65C系列」(RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR),且均符合汽车电子产品可靠性标准「AEC-Q101」
ROHM推出内建1700V SiC MOSFET小型表面封装AC/DC转换IC (2021.06.17)
随着节能意识的提高,在交流400V工控装置领域,与现有的Si功率半导体相比,SiC功率半导体支援更高电压,且更节能、更小型,因此相关应用也越来越广泛。另一方面,工控装置中

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