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UnitedSiC推出最小导通电阻6mΩ SiC FET 耗损仅竞品的一半 (2021.09.14)
碳化矽（SiC）功率元件的应用正快速且广泛的成长中，尤其是电动车相关的市场，而SiC元件的性能优劣也成为供应商的决胜点。而专注于碳化矽元件技术开发的美商UnitedSiC（联合碳化矽），今日推出了一款业界最佳的750V SiC FET产品，该元件的导通电阻（RDS on）仅有6mΩ，仅有竞争对手SiC MOSFET产品的一半，并提供了5μs额定短路耐受时间 |
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应用材料助碳化矽晶片制造 加速升级至200毫米晶圆 (2021.09.09)
应用材料公司推出新产品，协助全球领先的碳化矽 (SiC) 晶片制造商，从150毫米晶圆制造升级为200毫米制造，增加每片晶圆裸晶 (die) 约一倍的产量，满足全球对优质电动车动力系统日益增加的需求 |
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联华电子与颀邦科技 经股份交换建立策略合作关系 (2021.09.06)
联华电子、宏诚创投(联电持股100%子公司)及颀邦科技董事会今日分别通过股份交换案，联华电子及颀邦科技两家公司将建立长期策略合作关系。
联电以先进制程技术提供晶圆制造服务，为IC产业各项应用产品生产晶片，并且持续推出尖端制程技术及完整的解决方案，以符合客户的晶片设计需求，所提供方案横跨14奈米到0 |
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盛美发布首台晶圆级封装和电镀应用电镀设备 (2021.08.31)
盛美半导体设备发布了新产品—Ultra ECP GIII电镀设备，以支援化合物半导体(SiC, GaN)和砷化镓(GaAs) 晶圆级封装。该系列设备还能将金（Au）镀到背面深孔制程中，具有更好的均匀性和台阶覆盖率 |
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拓展碳化矽实力 安森美将收购GT Advanced (2021.08.26)
安森美(onsemi)和碳化矽 (SiC) 生产商GT Advanced Technologies (「GTAT」) 于美国时间8月25日宣布已达成最终协定，根据该协定，安森美将以4.15亿美元现金收购GTAT。
GTAT 成立于 1994 年，在包括 SiC 在内的晶体成长方面拥有丰富的经验 |
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边缘运算推升伺服器需求 英飞凌让电源供应器更小更有效率 (2021.08.15)
全球的数据量正在加速爆走中，尤其是物联网和边缘运算应用被逐步导入市场之后，各种机器与设备的资料和数据，就日夜不停地被记录与传送到云端资料中心与伺服器之中，直接推升了各个领域对于伺服器的建置需求 |
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意法半导体制造首批8吋碳化矽晶圆 (2021.08.13)
意法半导体（STMicroelectronics）宣布，ST瑞典Norrkoping工厂制造出首批8吋（200mm）碳化矽（SiC）晶圆，这些晶圆将用于生产下一代功率电子晶片产品原型。将SiC晶圆升级到8吋代表着ST针对汽车和工业客户的扩产计画获得重要阶段性的成功 |
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Microchip推出耐固性最强的碳化矽功率解决方案 取代矽IGBT (2021.07.28)
Microchip Technology Inc.今日宣布扩大其碳化矽产品组合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化矽MOSFET裸片、分离元件和电源模组。
Microchip的1700V碳化矽技术是矽IGBT的替代产品 |
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科锐携手迈凌科技 实现新型超宽频5G技术 (2021.07.14)
科锐 (Cree, Inc.,)宣布，与美商迈凌科技(MaxLinea)成功合作，结合科锐 Wolfspeed碳化矽基氮化镓(GaN-on-SiC)中频功率放大器，和美商迈凌科技超宽频线性化解决方案(MaxLin)，增加了 5G 基地台的无线容量，可支援更多人同时使用，并且提高了资料传输速度 |
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ROHM内建SiC二极体IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」 损耗减少67% (2021.07.13)
半导体制造商ROHM开发出650V耐压、内建SiC萧特基二极体的IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），且均符合汽车电子产品可靠性标准「AEC-Q101」 |
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ROHM推出内建1700V SiC MOSFET小型表面封装AC/DC转换IC (2021.06.17)
随着节能意识的提高，在交流400V工控装置领域，与现有的Si功率半导体相比，SiC功率半导体支援更高电压，且更节能、更小型，因此相关应用也越来越广泛。另一方面，工控装置中 |
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中国高斯宝采用科锐SiC电晶体 提升伺服器电源效率 (2021.06.13)
科锐公司(Cree)宣布，中国高斯宝电气（Gospower）将在其次代通用备援电源(CRPS)解决方案中，采用Wolfspeed 650V碳化矽金氧半场效电晶体(MOSFET)，来提高电源效率。
科锐指出，Wolfspeed的650V碳化矽MOSFET透过低开关和导通损耗提供高效率，并具有高功率密度的特点，包括更小的体积、更轻的重量和更少的元件数 |
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Silicon Labs推出Si828x版本2 优化SiC FET驱动效能 (2021.05.18)
增加Si828x版本2，使该产品系列能更有效驱动碳化矽(SiC)场效电晶体(FET)闸极，进而满足半桥和全桥逆变器以及电源供应不断成长的市场需求，这些设备需要提高功率密度、降低运行温度并减少开关损耗 |
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英飞凌与日本昭和电工签约 稳固SiC产品材料来源 (2021.05.11)
英飞凌科技宣布已与日本晶圆制造商昭和电工签订供应契约，供应包括磊晶在内的各种碳化矽材料(SiC)。英飞凌因此可获得更多基材，满足对SiC产品日益渐增的需求。SiC可提供高效率与强固的功率半导体，尤其专注於光电、工业电源供应器和电动车充电基础设备等领域 |
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UnitedSiC发布线上功率设计工具 加速找出理想SiC FET方案 (2021.03.16)
碳化矽（SiC）功率电晶体制造商UnitedSiC推出FET-Jet Calculator，这是一款免费注册的简单线上工具，能方便设计人员为不同功率应用和拓扑结构选择器件和比较器件在其中的效能 |
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华域三电与ROHM成立技术联合实验室 加重投入车电功率元件开发 (2021.03.11)
中国汽车空调制造商华域三电（Sanden Huayu Automotive Air-Conditioning Co., Ltd.）与半导体制造商ROHM在位於中国上海的华域三电总部成立了「技术联合实验室」，并於2021年1月举行了启用仪式 |
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科锐推出新系列SiC功率模组 助电动车快充和太阳能加速量产 (2021.01.21)
碳化矽技术大厂科锐(Cree)宣布推出Wolfspeed WolfPACK功率模组，扩展其解决方案，提升电动车快速充电、可再生能源、储能和各种工业电源应用的性能。通过采用1200V Wolfspeed MOSFET技术，该新型模组成功在简单易用的封装内实现效率最隹化，帮助设计人员开发出尺寸更小、扩展性更好、效率和性能皆显着提升的电源系统 |
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扩大SiC功率元件产能 ROHM Apollo环保新厂房完工 (2021.01.13)
面对全球的能源短缺问题，节能将是开发未来电子元件的重要考量，尤其在电动汽车与工业4.0领域，SiC SBD与SiC MOSFET等SiC功率元件，很有可能成为电动车和工业装置的关键元件 |
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Cree|Wolfspeed：SiC将在电动公共汽车市场高速成长 (2021.01.12)
碳化矽(SiC)技术正在渗入电动公共汽车市场。技术开发商Cree|Wolfspeed功率产品市场与应用高级总监Guy Moxey先生表示：「从全球的角度来看，纯电动汽车(BEV)预计在2025年将占汽车产量的7% |
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太克第二代IsoVu隔离式示波器探棒 满足宽能隙材料的电源设计需求 (2020.12.11)
太克公司（Tektronix）今天宣布推出其第二代IsoVu隔离式示波器探棒TIVP系列，不仅尺寸更小、使用方式更简便，电气效能也显着提升，是2016年推出突破性的探棒产品之後，在效能方面的再度跃进，将隔离式探棒技术的应用范围扩展至整个电源系统设计市场 |
OASIS是一个非营利的机构，其作用在于发展、整合，以及统一世界各地电子商业所需要的专用标准。OASIS并制定出全球电子商业的安全标准、网络服务、XML的标准、全球商业的流通，以及电子业的出版。
