三星电子正式量产商用HBM4产品，并完成业界首次出货。三星凭藉其第六代10奈米级DRAM制程（1c），实现稳定良率，无需额外重新设计即顺利完成。

三星正式出货商用HBM4

三星HBM4提供稳定的11.7Gbps的处理速度，相较业界标准8Gbps提升约46%。相较於前代产品HBM3E的最高针脚速度（pin speed）9.6Gbps，HBM4提升约1.22倍，还可进一步提升至13Gbps，有效??解随AI模型规模持续扩大所带来的资料瓶颈问题。

单一堆叠的总记忆体频宽也较前代增加2.7倍，最高达到每秒3.3TB（TB/s）。

三星HBM4采用12层堆叠技术，提供24GB至36GB容量。透过运用16层堆叠，容量选项可扩充至48GB，以配合客户的时程需求。

为了应对资料I/O数量从1,024个增加至2,048个所带来的功耗与散热挑战，三星在核心裸晶（core die）中整合了先进的低功耗设计解决方案。透过运用低电压直通矽晶穿孔（TSV）技术与电源分布网路（PDN）最隹化，HBM4相较於与HBM3E，在功耗效率提升了40%，热阻改善10%，散热效果提高30%。

这款HBM4专为未来的资料中心环境所打造，协助客户最大化GPU吞吐量，并有效优化整体拥有成本（TCO）。