是德科技（Keysight）携手国立中央大学光电科学研究中心（National Central University Optical Sciences Center），共同合作提高了GaN、SiC应用研发及测试验证之效率，并加速5G基建及电动车创新之步伐。

新兴宽能隙材料（WBG）的出现，例如氮化??（GaN）与碳化矽（SiC）等，以其高切换速度、低导通损耗以及更高的耐温及承受电压等特性，逐渐导入电源相关之消费性产品、快充、电动车及轨道交通、5G基建、资料中心伺服器等应用，产品比过往精巧且效能更高。然而，相比传统矽基的MOSFET或IGBT，宽能矽材料带来的种种优势也同时增加了其设计及测试难度，比如更为复杂的驱动设计，更快的开关速度带来的振荡以及电磁相容问题等。同时，如何於更高的频率执行高精确度及重复性之动态测试以及实现更接近於真实情况的器件建模和电力电子模拟都是当前极具挑战之课题。

国立中央大学光电科学研究中心（NCUOSC）导入了Keysight PD1500A 动态功率元件分析/双脉冲测试平台，成功建置首屈一指的第三代宽能隙半导体研发能量并提高了测试验证效率。随着JEDEC持续定义WBG元件的动态测试，某些标准化测试开始出现，Keysight PD1500A DPT确定了这些关键效能叁数，例如开关及切换特性、动态导通电阻、动态电流及电压、反向恢复、闸极电荷、输出特性等。
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