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CTIMES / Netac
科技
典故		 第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期，貝爾實驗室開始一項研究計畫，目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日，由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管，優點是體積更小、更可靠、且成本低廉，不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業，同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
Netac全新越影II DDR5記憶體提升效能 (2022.06.27)
Netac（朗科科技）繼推出絕影電鍍RGB DDR5之後，近日再推出越影II DDR5記憶體，對比絕影系列，越影II DDR5同樣定位中高端，不同的是，不設RGB燈效功能。 參數方面，越影II DDR5的是4800MHz頻率規格，提供8/16/32GB*2的大容量雙通道記憶體規格，時序40-40-40-77，電壓1.1V

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