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車規碳化矽功率模組—基板和磊晶 (2023.06.27)
本文敘述安森美在碳化矽領域從晶體到系統的全垂直整合供應鏈，並聚焦到其中的核心功率器件碳化矽功率模組，以及對兩個碳化矽關鍵的供應鏈基板和磊晶epi進行分析。 |
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應材發表新款Endura Ioniq PVD系統 解決2D微縮佈線電阻問題 (2022.05.30)
因應當前晶片廠商正在運用微影技術將晶片縮小至3奈米和以下節點，但是導線越細，電阻便會以倍數增加，導致晶片效能降低，並增加耗電量。若放任佈線電阻的問題不管，先進電晶體的優勢可能會蕩然無存 |
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貳陸公司（II-VI）以購併、協議串接垂直供應鏈 (2021.11.22)
美國雷射光學元件設計製造商貳陸公司（II-VI）是全球第一家試製並發表8吋SiC基板的公司，甚至還自行開發SiC長晶等設備。台灣在化合物半導體的應用仍在萌芽階段，初期若也能同步發展設備與製程，將可帶動效益倍增 |
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Cree謀轉型發展碳化矽 獨霸SiC晶圓市場 (2021.07.14)
相較於第一代半導體材料的矽（Si）與第二代半導體材料的砷化鎵（GaAs），碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）等第三代寬能隙半導體材料擁有高電子遷移率、直接能隙與寬能帶等特性 |
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aveni S.A.電鍍化學技術 將銅互連擴展至5nm以下節點 (2018.01.04)
為2D互連和3D矽穿孔封?提供濕沉積技術與化學材料的開發商與生產商aveni S.A.宣佈，其已獲得成果顯示可有力支持在先進互連的後段製程中，在5nm及以下技術節點可繼續使用銅 |
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諾發系統推出晶圓級封裝系列產品 (2010.09.14)
諾發系統近日宣布，推出VECTOR PECVD, INOVA PVD和GxT photoresist strip systems的新機型，這些新機型可以和諾發系統的先進金屬連線技術相輔相成，並且展開晶圓級封裝技術（WLP）的需求及市場 |
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NEXX Systems獲Alchimer技術授權 (2008.11.18)
奈米TSV金屬化公司Alchimer,S.A.日前宣佈已授權其eG ViaCoat產品予矽晶穿孔（TSV）應用之電解沉積系統NEXX Systems,Inc公司，作為生成TSV金屬鍍層細薄、保形的銅晶種層使用。
根據協議 |
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彩晶減緩六代廠投資步調 (2005.08.12)
國內面板五虎之一的瀚宇彩晶在第二季法說會上對外發表幾點看法。第一，由於六代廠成本過高，並非生產液晶電視的好工具，因此彩晶對於六代廠的產能佈建，也將採取漸進式作法 |
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2003年Q1全球矽晶圓出貨量小幅成長 (2003.05.08)
外電報導，根據半導體設備及材料協會（SEMI）所公佈的最新報告，2003年第一季全球矽晶圓出貨量達11.75億平方英吋，較上一季的11.34億平方英吋成長4％，亦較2002年同期的10.11億平方英吋成長了16％ |
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利用選擇性電化學接觸置換法製作銅導線 (2001.10.05)
目前晶片製造商正著力於銅製程之模組技術及其製程整合以提昇量產製程之良率。本文將探討無電化學電鍍提供選擇性銅導線沈積方法，以克服高深寬比溝渠填充及化學機械研磨過研磨時所遭遇的銅導線淺碟化問題 |
