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SiC Traction模組的可靠性基石AQG324 (2023.10.13)
在汽車功率模組的開發過程中，由歐洲電力電子中心主導的測試標準—AQG324非常重要，只有完成根據它的測試規範設計的測試計畫，才能得到廣大的車廠認可，而汽車級SiC功率模組也必須通過AQG324的測試規範 |
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晶背供電技術的DTCO設計方案 (2023.08.11)
比利時微電子研究中心（imec）於本文攜手矽智財公司Arm，介紹一種展示特定晶背供電網路設計的設計技術協同優化（DTCO）方案，其中採用了奈米矽穿孔及埋入式電源軌來進行晶背佈線 |
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DNP開發出適用於半導體封裝的TGV玻璃芯基材 (2023.03.20)
Dai Nippon Printing （簡稱DNP）公司已開發出一款適用於下一代半導體封裝的玻璃芯基材（GCS）。這款新產品用玻璃基材替代了傳統的樹脂基材（例如FC-BGA：覆晶球格陣列）。與採用目前可用技術的半導體封裝相比，透過使用高密度的玻璃導通孔（Through Glass Via；TGV），DNP如今可以實現更高的封裝效能 |
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看好晶片微縮進展 imec提出五大挑戰 (2023.03.13)
面對當代的重大挑戰時，人工智慧應用越來越廣泛，未來的運算需求預計會每半年翻漲一倍。為了在處理暴增的巨量資料的同時維持永續性，需要經過改良的高性能半導體技術 |
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探索埃米世代導線材料 金屬化合物會擊敗銅嗎？ (2023.01.19)
大約5年前，imec研究團隊開始探索二元與三元化合物作為未來金屬導線材料的可能性，藉此取代金屬銅。他們設計一套獨特方法，為評估各種潛在的替代材料提供指引。 |
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imec推出雙層半鑲嵌整合方案 4軌VHV繞線設計加速邏輯元件微縮 (2022.12.09)
本周IEEE國際電子會議（IEDM）上，比利時微電子研究中心（imec）發表了最新的半鑲嵌整合方案，透過導入VHV繞線技術（vertical-horizontal-vertical）來實現4軌（4T）標準單元設計，加速元件微縮 |
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盛美上海為Ultra C pr設備新添金屬剝離制程 (2022.11.24)
盛美半導體設備（上海）股份有限公司宣佈其為Ultra C pr設備拓展了金屬剝離（MLO）應用，以支援功率半導體製造和晶圓級封裝（WLP）應用。MLO制程是一種形成晶圓表面圖案的方法，省去了蝕刻制程步驟，可降低成本，縮短制程流程，並減少高溫化學品用量 |
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非銅金屬半鑲嵌製程 實現窄間距雙層結構互連 (2022.08.05)
imec展示全球首次實驗示範採用18nm導線間距的雙金屬層半鑲嵌模組，強調窄間距自對準通孔的重要性，同時分析並公開該模組的關鍵性能參數，包含通孔與導線的電阻與可靠度 |
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推動2D/3D IC升級 打造絕無僅有生醫感測晶片 (2022.06.22)
隨著半導體先進製程推進到2奈米（nm）之後，晶片微縮電路的布線與架構，就成為性能與可靠度的發展關鍵，而imec的論文則為2奈米以下的晶片製程找到了一條兼具可行性與可靠度的道路 |
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解決毫米波挑戰 波束成形提升高頻覆蓋率 (2022.06.22)
除了虛擬化與大規模MIMO之外，波束成形技術也是非常重要的解決方法。
目前波束成形技術已被廣泛接受，將在下一代網路中發揮重要作用。 |
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imec首度展示晶背供電邏輯IC佈線方案 推動2D/3D IC升級 (2022.06.17)
比利時微電子研究中心（imec）於本周舉行的2022年IEEE國際超大型積體電路技術研討會（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC佈線方案，利用奈米矽穿孔（nTSV）結構，將晶圓正面的元件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上 |
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評比奈米片、叉型片與CFET架構 (2022.04.21)
imec將於本文回顧奈米片電晶體的早期發展歷程，並展望其新世代架構，包含叉型片（forksheet）與互補式場效電晶體（CFET）。 |
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盛美上海推出ULD技術 槽式濕法清洗設備獲批量採購訂單 (2022.02.15)
盛美半導體設備（上海）股份有限公司，宣佈已接到29台Ultra C wb槽式濕法清洗設備的批量採購訂單，該設備可應用於加工300mm晶圓，其中16台設備的重複訂單來自同一家中國國內代工廠，重複訂單的目的是支援該工廠的擴產 |
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記憶體不再撞牆！ (2022.01.21)
新一代的高效能系統正面臨資料傳輸的頻寬限制，也就是記憶體撞牆的問題，運用電子設計自動化與3D製程技術.... |
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杜邦Nikal B 電鍍化學品系列添新成員— 無硼酸電鍍鎳 (2021.09.26)
杜邦電子與工業事業部宣布，Nikal BP 電鍍化學品系列又添新成員- Nikal BP BAF Ni 電鍍鎳。這款新增的化學品不含硼酸，是凸塊下金屬化層 (UBM) 封裝應用更為安全的電鍍選擇 |
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延續後段製程微縮 先進導線採用石墨烯與金屬的異質結構 (2021.08.05)
由石墨烯和金屬構成的異質結構有望成為1奈米以下後段製程技術的發展關鍵，本文介紹其中兩種異質整合方法，分別是具備石墨烯覆蓋層的金屬導線，以及摻雜石墨烯和金屬交替層的堆疊元件 |
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邁向1nm世代的前、中、後段製程技術進展 (2020.12.08)
為了實現1nm技術節點與延續摩爾定律，本文介紹前、中、後段製程的新興技術與材料開發，並提供更多在未來發展上的創新可能。 |
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打造更美好的人工智慧晶片 (2020.11.13)
由於7奈米及更先進製程愈趨複雜昂貴，正採用不同方法來提高效能，亦即降低工作電壓並使用新IP區塊來強化12奈米節點，而這些改變對於AI加速器特別有效。 |
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邏輯元件製程技術藍圖概覽（上） (2020.11.10)
愛美科CMOS元件技術研究計畫主持人Naoto Horguchi、奈米導線研究計畫主持人Zsolt Tokei彙整各自的領域專長，將於本文一同呈現先進製程技術的發展藍圖。 |
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用「釕」金屬實現2奈米製程 (2020.10.11)
Imec展示可實現2奈米製程的先進互連方案的替代金屬技術
在2020年國際互連技術大會上，imec首次展示了採用釕金屬(Ru)，具備電氣功能的雙金屬層級結構（2-metal-level）互連技術 |
