帳號:
密碼:
CTIMES / 鐵電性隨機存取記憶體
科技
典故
從演化到多元整合──淺介Bus規格標準的變遷

一個想要滿足於不同市場需求的通用型Bus標準界面,能否在不斷升級傳輸速度及加大頻寬之外,達到速度、容量、品質等多元整合、提升效能為一體的願望?
摩托羅拉推出第一款百萬位元MRAM (2002.06.11)
摩托羅拉半導體事業部(SPS)和摩托羅拉實驗室於本週在2002年科技與電路超大型積體電路座談會(2002 VLSI Symposia on Technology and Circuits)中,聯合發表第一款百萬位元MRAM(磁電阻式隨機存取記憶體,magnetoresistive random access memory)通用記憶體晶片
ST發表32百萬位元快閃記憶體 (2001.11.21)
ST日前發表一款在符合業界標準電壓與溫度條件下,速度最快的32百萬位元快閃記憶體。這顆高密度的M29W320D是採用ST領先業界的0.18微米快閃記憶體製程技術製造,適用於蜂巢式行動產品、個人數位助理、週邊設備、遊戲、以及其他先進數位通訊及消費性產品中
旺宏趕在2004年前佈局MRAM及FRAM (2001.06.10)
國內快閃記憶體(Flash)大廠旺宏電子公司為取得未來進入系統單晶片(SOC)競爭優勢,也加入新世代非揮發性記憶體-磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)及鐵電隨機存取記憶體(FRAM)開發,並計劃趕在2004年前導入量產,以免被IBM及Infineon等國際整合元件大廠(IDM)搶食先機
聯電與聯邦半導體合作跨足MRAM領域 (2001.05.09)
聯電為增加進入單晶片系統組(SOC)領域勝算,近期規劃與聯邦半導體結盟,共同跨足磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)研發生產,以取得未來SOC核心記憶體領先地位,超越IBM、摩托羅拉等領先廠商

  十大熱門新聞

AD

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw