 |
提高競爭力 海力士將再關閉一座8吋廠 (2008.10.06)
海力士（Hynix）半導體宣佈，將提前關閉生產效率低於12吋晶圓的8吋晶圓廠。而在工廠關閉後，DRAM和NAND快閃記憶體的主要生產工作將由12吋晶圓廠負責，此舉將有效穩定財務狀況並提高收益 |
|
海力士打造清州廠為全球第一大NAND記憶體工廠 (2008.09.04)
海力士半導體位於韓國清州市、支援300mm（12吋）晶圓的新製造生產線M11落成，海力士並邀請當地政府官員等舉行完工典禮。
據了解，M11將採用40nm製程，用於生產16Gbit及32Gbit等高密度NAND快閃記憶體 |
|
海力士獲Grandis授權 將共同開發STT-RAM技術 (2008.04.10)
南韓海力士半導體（Hynix Semiconductor）宣佈，該公司已經與新一代記憶體STT-RAM（Spin-Transfer Torque RAM）的技術開發商Grandis，簽訂了STT-RAM的技術授權及共同開發協議。根據協議內容，海力士將從Grandis獲得STT-RAM技術授權，未來兩公司的研究人員也將在產品開發領域進行合作 |
|
海力士成功開發24層NAND Flash堆疊封裝技術 (2007.09.13)
海力士半導體（Hynix Semiconductor）成功開發出24層堆疊、每層厚度為25μm的NAND型快閃記憶體，總厚度為1.4mm的MCP多晶片封裝。這是在目前的MCP產品之中，堆疊層數最多的一次 |
|
2010年兩岸DRAM產量將超越南韓 (2007.05.31)
台灣和中國的DRAM總產量，將在2010年之前超過南韓。根據iSuppli預測，台灣和中國的DRAM廠陸續擴產，相較之下南韓僅有三星電子（Samsung Electronics）和海力士半導體（Hynix Semiconductor）為主要DRAM生產商，且該兩廠商未來也會將生產的重心移向NAND快閃記憶體 |
|
海力士獲得英特爾DDR3 SDRAM產品認證 (2007.05.09)
南韓海力士半導體（Hynix Semiconductor）對外表示，該公司已經從美國英特爾（Intel）獲得了DDR3同步動態隨機記憶體（SDRAM）的產品認證。
海力士表示，此次獲得的是80nm製程技術的1Gbit DDR3 SDRAM，以及該晶片應用於個人電腦（PC）大容量儲存模組的認證 |
倘若供應電腦的電源發生不正常中斷或是電流不穩定時，不斷電系統UPS（Uninterruptible Power Supply）便擔負起暫時緊急供應電源的功能，使電腦不會因停電而被迫流失資料，或者造成系統的毀損。
