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躍入90奈米技術 Intel/台積電矽鍺市場競賽 (2002.09.13)
英特爾 （Intel）近日在開發者論壇（IDF）中表示，未來將把90奈米製程技術，納入矽鍺（SiGe）製程中，但是何種矽鍺製程，英特爾並未詳述。台積電曾於美國表示，將提供0.18微米製程的矽鍺代工服務 |
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TI導入0.4微米CMOS製程 (2002.07.30)
TI（德州儀器）今年底計畫發表0.4微米矽鍺雙載子CMOS之BiCom-III製程，該技術用於生產低雜訊晶片，其產品速度比BiCMOS製程技術快上二倍。TI今年第三季進入最終驗證階段，年底將把該技術導入8吋晶圓製程，預計將很快可正式量產產品 |
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台積電獲科勝訊授權0.35微米SiGe製程專利 (2001.05.19)
台積電已向美國科勝訊（Conexant）移轉0.35微米矽鍺（SiGe）製程專利，在CMOS製程進行元件開發，預估今年年底投片試產。一般0.1一微米的邏輯製程技術，目前已開發出單元元件，預估明年第三季可開發完成 |
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科勝訊生產矽鍺半導體SiGe通訊元件 (2000.02.10)
科勝訊系統公司(Conexant Systems, Inc.)宣佈該公司已完成進階矽鍺(SiGe)製程的開發工作，使用此種製程技術，將可大幅降低無線通訊系統、高速網路系統中半導體產品的電力需求 |
