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科技
典故 |
第一顆電晶體(Transistor)的由來
第二次世界大戰末期，貝爾實驗室開始一項研究計畫，目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日，由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管，優點是體積更小、更可靠、且成本低廉，不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業，同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
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Littelfuse符合AEC-Q101標準的表面安裝瞬態抑制二極體 (2016.11.22)
Littelfuse（利特）推出符合AEC-Q101標準的瞬態抑制二極體系列，專門設計用於保護敏感電子設備免受由負載突降和其它瞬態電壓事件引起的電壓瞬變損害。
SLD8S系列汽車SMT瞬態電壓抑制（TVS）二極體提供7000W（10/1000μs）或 2200W（負載突降）額定脈衝峰值功率耗損，並採用表面安裝式SMTO-263封裝 |
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美高森美發佈全新系列Powermite1 MUPT瞬態電壓抑制二極體 (2016.03.17)
配合飛機電氣化的發展趨勢，美高森美公司（Microsemi）發佈一獨特且具有專利的全新系列Powermite1 MUPT瞬態電壓抑制（transient voltage suppression, TVS）二極體產品。飛機電氣化、提高可靠性和燃油效率等市場趨勢的發展 |
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