帳號:
密碼:
CTIMES / 動態隨機存取記憶體
科技
典故
第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期,貝爾實驗室開始一項研究計畫,目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日,由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管,優點是體積更小、更可靠、且成本低廉,不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業,同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
茂德中科12吋晶圓廠動土 挑戰全球最大 (2004.04.10)
茂德科技8日於中部科學工業園區舉行該公司12吋晶圓三廠動土典禮,該廠為國內首家進駐中科的DRAM廠商,總投資金額高達32億美元,最大月產能為5萬片,將成為全球半導體產業中單一廠址產能最大的12吋晶圓廠
力晶發佈93年第一季營收報告 (2004.04.07)
力晶半導體公佈93年第一季未經會計師核閱之自行結算財務報表,第一季總營收達105.36億元。自結毛利與毛利率分別為36.92億元與35%;首季稅前、稅後淨利為33.58億元、32.28億元,每股獲利達0.95元
OEM廠補庫存 DRAM現貨市場價格狂飆 (2004.04.06)
據工商時報消息,DRAM現貨市場因戴爾、惠普等OEM電腦大廠需求提高,出現約3%~5%的供給缺口,主流產品256Mb DDR價格於日前大漲一成,創下5年來單日最大漲幅紀錄;該報導引述業者看法指出,DRAM廠釋出至現貨市場貨源已不多,價格仍有上揚空間
力晶3月份營收達41.2億元 (2004.04.05)
力晶半導體宣佈內部自行結算之2004年3月份營收報告。報告指出,3月營業淨額達新台幣41.2億元,相較上月大幅成長24.4%,更較去年同期成長302%。營業收入持續創下歷史新高紀錄
佈局DDRII市場 DRAM業者與封測廠合作密切 (2004.04.03)
為因應DDRII規格記憶體即將成為市場主流,DRAM廠為搶攻市場佔有率,紛紛計畫推出新產品,且因DDRII封裝與測試製程皆與上一世代不同,各家DRAM廠也與後段封測廠進行技術合作,包括南亞科與裕沛、茂德與南茂、力晶與力成
富士通推出PRIMERGY BX300刀鋒型伺服器 (2004.03.15)
富士通推出採用Intel Pentium M處理器,以及4 GB ECC保護DDR SDRAM 記憶體的PRIMERGY BX300刀鋒型伺服器。此項強力組合使得刀鋒型伺服器非常適用於運算密集的應用程式,例如廣泛的終端伺服器建置,或大量的 Web 伺服器,除了降低每一片伺服器刀鋒的成本,對於機架空間的需求也比標準型伺服器來得低
世界先進Q3停產DRAM 測試機台求售 (2004.03.04)
業界消息指出,在2月初的法人說明會中宣佈於第三季停產DRAM的世界先進,其DRAM投片已提前在2月間停止,預計生產線上在製DRAM晶片(WIP)將於4月底出清,DRAM產出後所需的測試機台設備也開始求售
從三星經驗看「韓流」 (2004.02.05)
近年來南韓半導體產業的蓬勃發展為全球有目共睹,而其中三星電子集團的崛起與快速成長,更是業界關注的焦點,該公司挾其龐大資本、產能與先進記憶體技術,在國際市場地位日益顯著;本文將由三星的發展歷史與營運策略,為讀者分析此一波強勁「韓流」走勢
12吋廠效益發揮 台灣3大DRAM廠可望轉虧為營 (2004.01.13)
工商時報報導,儘管2003年12月DRAM報價大幅下滑,國內3大DRAM廠南亞科、力晶、茂德各因製程實力提升與12吋晶圓廠成本效益發揮,單月營收僅出現小幅滑落甚至逆勢成長,第4季單季獲利也一如預期穩定發展;力晶、茂德全年營運均可望順利轉虧為盈
廠商提高產能 DRAM今年Q1產出量將增加 (2004.01.08)
工商時報引述集邦科技統計指出,2003年12月全球DRAM總產出量維持小幅成長,其中美光(Micron)因製程良率獲得突破,12月份產出量成長率達18.3%。而集邦科技預估,由於日本、台灣DRAM廠在2003第4季均增加投片量,2004第1季全球DRAM產出量成長幅度將會轉大
Elpida與中芯達成為期五年之合作協議 (2003.12.25)
路透社報導,日本記憶體晶片業者Elpida日前宣佈該公司已與中國大陸晶圓業者中芯國際達成一項為期5年的DRAM供應協議;根據這項協議,中芯國際將於2004年第4季開始以100奈米的12吋晶圓製程為Elpida生產 DRAM
茂德取得茂矽UMI之股權及專利 (2003.12.24)
茂德科技與茂矽電子日前在香港簽訂兩份股權轉讓合約以及一份專利與技術買賣合約。茂德總計支付約1.20億元美金,取得茂矽美國子公司UMI(United Memories Inc)100%股權、MVC(Mosel Vitelic Corporation)50%股權、茂矽全球記憶體專利權、DRAM產品權利以及茂矽在美國中央實驗室(Central Lab)所開發之Flash製程技術暨相關智慧財產權
Mobile RAM供需缺口逾2成 2004年Q1前難紓解 (2003.12.21)
消費性電子產品第四季銷售旺季,造成關鍵零組件出現嚴重供不應求,繼日前手機內部SRAM記憶體漲價10%後,目前包括數位相機(DSC)、Smart Phone等消費性電子產品所使用記憶體需求出現暴增現象,且與NAND型Flash產品一樣到了有錢也不見得拿得到貨的地步,供應商估計,到2004年第一季前缺貨狀況仍將無法舒緩
茂德與爾必達協商破裂 (2003.12.19)
茂德科技19日宣布,該公司將暫停與日本爾必達有關動態隨機存取記憶體等晶片技術授權、共同研發、與產能分配等合作案的協商。 茂德科技發言人林育中表示,『茂德與爾必達目前已暫停有關技術移轉與產能分配的商談計劃
iSuppli指PC需求回升 帶動DRAM業獲利 (2003.12.16)
市調機構iSuppli公佈最新報告指出,個人電腦(PC)需求反彈回升,除將使DRAM業者獲利,廠商也可望因此有更多現金投入技術升級,推論2004年DRAM大廠將紛紛提高資本支出,前13大供應商合計投資額可望較前1年大幅增加42%,達88.5億美元
三星產能轉撥效應不明顯 DRAM漲價難 (2003.12.14)
工商時報報導,雖然韓國三星電子大舉將DRAM產能轉至生產NAND晶片,但仍維持DRAM總產出量不變或小幅成長,但根據集邦科技統計,2003年三星及Hynix加計DRAM總產出仍逐月成長
iSuppli指12吋廠將成DRAM業者成長主力 (2003.12.08)
市調機構iSuppli公佈今年全球前10大DRAM廠排名預測,2002年成長最快的三星、南亞科二家業者,2004年營收較去年微幅衰退,而擁有12吋晶圓廠的英飛凌、爾必達、茂矽、力晶,則因今年新產能順利開出,營收均有不錯的成長
竹科土地取得難 DRAM業者12吋廠改移中科 (2003.12.06)
據Digitimes報導,台灣DRAM業者12吋廠建廠速度持續加快,但因竹科第三期土地無法如期徵收,土地取得困難,業者紛計畫將接下來的12吋廠投資目標地點,移往在離竹科較近的中部科學園區,初步估算投資規模將達新台幣2500億元
市場指三星轉撥12吋產能主因 為看壞DRAM市況 (2003.11.25)
根據市調機構iSuppli指出,南韓三星電子年底前將把12吋廠的1萬片左右月產能,改投高密度NAND快閃記憶體(Flash),並將製程由0.12微米微縮至0.11微米。而市場消息認為,三星此舉表示該公司對2004年上半年DRAM市況不抱樂觀
二線廠拋售未測試晶圓 DRAM價格跌不停 (2003.11.24)
據工商時報報導,DRAM市場今年未出現年底旺季行情,近期更因終端市場需求疲弱使DRAM現貨價格連日下挫,不過DRAM後段封裝測試因產能不足,代工價格持續上漲,已嚴重壓縮DRAM廠獲利能力

  十大熱門新聞

AD

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw