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CTIMES / 電晶體
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P2P-點對點檔案交換

「P2P」,簡單地說就是peer-to-peer—「點對點連線軟體」,意即「使用端」對「使用端」(Client to Client ) 通訊技術,能讓所有的設備不用經過中央伺服器,便能直接聯通散佈資料。
ST推出低損耗1200V IGBT產品系列 (2009.10.16)
意法半導體(ST)推出新系列功率電晶體,可最大限度降低馬達控制電路的兩大能耗來源,減輕家電、HVAC系統以及工業機器等日用設備對環境的影響。STGW30N120KD和STGW40N120KD是兩款低導通損耗的絕緣柵雙極電晶體(IGBT;Insulated Gate Bipolar Transistor),可降低開關損耗
Diodes推出新型雙MOSFET組合式元件 (2009.07.07)
Diodes公司近日推出了新型的ZXMC10A816元件,它把一對互補性的100V增強式MOSFET結合於一個SO8封裝,性能可以媲美體積更大的個別封裝零件。ZXMC10A816適用於H橋電路,應用範圍包括DC散熱扇和反相器電路、D類放大器輸出級,以及其他多種類型的48V應用
英飛凌推出新型高功率LDMOS電晶體系列產品 (2009.06.18)
英飛凌科技於在美國波士頓所舉辦的IEEE MTT-S國際微波技術研討會(International Microwave Symposium)上宣佈推出可供設計寬頻無線網路基地台的高功率LDMOS電晶體系列產品。新型電晶體的功率位準高達300W,視訊頻寬超過90 MHz,完全支援由3G發展為4G無線網路所需的高峰值對均值功率比(peak to average power ratio)以及高資料傳輸速率規格
英飛凌發表搭載整合式分流器的MIPAQ base模組 (2009.06.16)
英飛凌科技日前於上海舉辦的PCIM China展覽會暨研討會上宣佈絕緣閘雙極性電晶體(IGBT) MIPAQ base模組之量產。 MIPAQ(整合電源、應用及品質的模組)base模組,整合IGBT六單元(six-pack)組態及電流感應分流器,非常適用於高達55 kW之工業驅動裝置和伺服機的低感應系統設計
ST推出創新的高壓電晶體技術 (2009.05.14)
意法半導體推出全新功率MOSFET系列產品,結合更高的擊穿電壓技術、更強的耐用性,以及更低的電能耗損率,相當適合液晶顯示器、電視及節能燈具整流器等需要高效能電源的應用
NXP針對L波段雷達應用推出RF功率電晶體 (2008.11.24)
恩智浦半導體(NXP Semiconductors)擴張其RF Power 電晶體產品線,推出最新針對L波段雷達應用的橫向擴散金屬氧化物半導體(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,以下簡稱LDMOS)電晶體,該電晶體在1.2GHz到1.4GHz的頻率之間提供高達500W的突破性的RF輸出功率
安森美推出新微型封裝的晶體和二極體 (2008.08.13)
安森美半導體(ON)擴充離散元件封裝系列,推出新微型封裝的電晶體和二極體。新的封裝技術能配合今日空間受限的可攜式裝置的嚴峻設計需求。 安森美半導體標準產品部全球市場行銷副總裁麥滿權說:「對我們的可攜式產品客戶來說,小尺寸、低高度且同時具備功率密度都是設計流程中相當關鍵的參數
Sony投3.72億美元提高鋰電池產能 (2008.08.08)
外電消息報導,Sony日前表示,由於手機、數位相機以及其他消費性電子產品對鋰電池的需求量大幅成長,因此該公司將投資3.72億美元的經費,擴增鋰電池的生產設備,以提高鋰電池的生產能力
英飛凌推出新款無線基礎設施專用射頻功率晶體 (2008.06.30)
英飛凌科技(Infineon)宣佈推出新款 700 MHz 頻段無線基礎設施專用射頻功率晶體系列。 這個頻段將在美國用來導入 4G(第四代)行動電話、行動電視廣播與其他行動寬頻服務,包括下一代的無線網路標準-LTE(長期演進技術)
英飛凌推出700 MHz頻段射頻功率晶體系列 (2008.06.27)
英飛凌科技 (Infineon)宣佈推出新款700 MHz頻段無線基礎設施專用射頻功率晶體系列。 這個頻段將在美國用來導入4G(第四代)行動電話、行動電視廣播與其他行動寬頻服務,包括下一代的無線網路標準-LTE(長期演進技術)
Vishay推出新型20Vp通道TrenchFET功率MOSFET (2008.06.20)
Vishay Intertechnology, Inc.推出新型20Vp通道TrenchFET功率MOSFET,該器件採用MICRO FOOT晶片級封裝,具有業界最小占位面積以及1.2 V時業界最低的導通電阻。 憑借1.2mm×1.0mm的超小占位面積,Si8445DB比業界大小僅次於它的器件小20%,同時具有0.59mm的相同超薄濃度
Vishay推出新型Siliconix功率MOSFET (2008.06.05)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出15款採用2 mm×2 mm的PowerPAK SC-70封裝、濃度為0.8 mm的新型功率MOSFET。 新產品包括用於不同應用的各種配置及額定電壓,除了n通道及p通道的互補對外,還包括n通道及p通道的單路、單路帶肖特基二極體的及雙路的器件
安森美擴展MOSFET驅動器積體電路(IC)系列 (2008.04.15)
安森美半導體(ON Semiconductor)擴展MOSFET驅動器積體電路(IC)系列,推出四款新元件:NCP5106、NCP5104、NCP5111和NCP5304。這些新的功率門驅動器針對中低功率應用,適用於終端產品包括白家電、照明電子整流器和馬達控制等工業應用
Vishay推出新型VEMT系列矽NPN光電電晶體 (2008.04.13)
Vishay推出採用可與無鉛(Pb)焊接相容的PLCC-2表面貼裝封裝的新系列寬角光電電晶體。VEMT系列中的器件可作為當前TEMT系列光電電晶體的針腳對針腳及功能等同的器件,從而可實現快速輕鬆的替代,以滿足無鉛(Pb)焊接要求
英飛凌推出新型LDMOS射頻功率電晶體 (2008.04.07)
英飛凌科技(Infineon)發表兩款新型LDMOS射頻功率電晶體,適用於無線通訊基礎架構應用領域,例如2.5 GHz至2.7 GHz之WiMAX。這兩款新產品提供之輸出功率峰值可達170瓦,進一步擴大英飛凌為WiMAX領域所提供射頻功率電晶體之產品種類,現有產品功率包括10瓦、45瓦及130瓦
Vishay推出新系列半橋絕緣柵雙極型電晶體 (2008.03.17)
Vishay宣佈推出採用業界標準Int-A-Pak封裝的新系列半橋絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)。該系列由八個600V及1200V器件組成,這些器件採用多種技術,可在標準及超快速度下實現高開關工作頻率
Zetex新型無鉛MOSFET成功把電路面積減一半 (2008.03.11)
類比訊號處理及功率管理方案供應商Zetex Semiconductors(捷特科)公司,推出其首項採用無鉛式2 x 2毫米DFN封裝的MOSFET產品。這款ZXMN2F34MA元件的PCB面積比業內採用標準SOT23封裝的元件小50%,離板高度只有0.85毫米,適用於各類型空間有限的開關和功率管理應用,例如降壓/升壓負載點轉換器中的外部開關裝置
IR推出600V絕緣柵雙極電晶體(IGBT)系列 (2008.03.07)
國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)推出600V絕緣柵雙極電晶體(IGBT)系列,能夠在最高3kW的不斷電系統(UPS)及太陽能轉換器,減少高達30%的功率耗損。 這款新特定應用元件利用IR最新一代的場終止溝道技術降低傳導和開關損耗,並為低短路要求的20kHZ開關作出優化,提升UPS和太陽能轉換器應用的功率轉換效率
Digi-Key開始庫存Cree的SiC RF Power MESFET (2008.03.06)
Digi-Key與寬頻隙電晶體及射頻積體電路(RFIC)廠商Cree宣佈 ,Cree的碳化矽(SiC)金屬半導體場效電晶體(MESFET)已由Digi-Key庫存,並已可開始出貨。 Digi-Key Corporation是板級元件之電子元件及配件多元經銷商,該公司專注於產品選擇與其對目錄上產品建立100%庫存的承諾,使其能便利地提供各種工業和商業領域等廣泛客戶所需
新型英飛凌MOSFET家族降低功率損耗達30% (2008.02.27)
英飛凌科技(Infineon)在應用電源電子研討會(APEC)上宣佈在OptiMOS 3 N通道MOSFET(場效應電晶體)產品陣容,新增三個新的功率半導體家族:OptiMOS 3 40V、60V和80V,在關鍵功率轉換規格如通態電組的指標性能,可降低標準晶體管型封裝(TO)的功率損失達30%

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