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討論文章主題﹕最新平面型功率MOSFET系列UniFET II MOSFET問世

文章 提要
高電壓功率 MOSFET 一般分為兩大類： 超接面（SJ : Super Juction）MOSFET 和平面型 MOSFET。由於其電荷平衡結構和更小的輸入柵極電荷（Qg），SJ MOSFET具有比平面型 MOSFET 更低的導通電阻（RDS(on)）和更快的開關性能。 產品的這兩個參數（Qg*RDS(on)）被作為元件的品質因數（FOM）。 另外，SJ MOSFET 的體二極體的反向恢復性能優於平面型 MOSFET。 然而，SJ MOSFET需要一個更加複雜和昂貴的磊晶製程，並且由於多磊晶層結構使得深壽命控制較困難，改善其體二極體性能受限。另一方面，平面型 MOSFET 可以只由一個單一的磊晶層製作而成，所以較容易實現深壽命控制。 因此，能夠大幅度提高平面型 MOSFET二極體的反向恢復性能，從而防止 MOSFET 失效

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