CTIMES - 搜尋：Sprint-Plus

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	台灣應用材料推出原子層沉積技術 (2001.10.24) 應用材料公司宣佈推出第一套「原子層沉積」（ALD：Atomic Layer Deposition）反應室，可在低溫度範圍下沉積薄而均勻的純淨薄膜；原子層沉積反應室能同時支援多種薄膜材料，包括金屬與介電質薄膜
	台灣應用材料推出原子層沉積技術 (2001.10.24) 應用材料公司宣佈推出第一套「原子層沉積」（ALD：Atomic Layer Deposition）反應室，可在低溫度範圍下沉積薄而均勻的純淨薄膜；原子層沉積反應室能同時支援多種薄膜材料，包括金屬與介電質薄膜
	應材發表Sprint Plus (2001.09.25) 應用材料公司宣佈推出業界第一套鎢金屬化學氣相沉積製程設備-Sprint Plus，其具有高生產力的先進填溝技術，將可支援次100nm晶片世代。Sprint Plus可於Endura SL平台結構上，結合最新推出的原子層沉積（ALD：Atomic Layer Deposition）鎢金屬成核技術
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