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突破DRAM物理極限 鎧俠發表8層堆疊氧化物半導體通道電晶體技術 (2025.12.14)
記憶體廠鎧俠(Kioxia)日前宣布，已開發出極具堆疊潛力的氧化物半導體通道電晶體技術，這將推動高密度、低功耗3D DRAM的實際應用。該技術於12月10日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子元件會議(IEDM)上發表，不僅證實了8層堆疊電晶體的運作，更可望降低包括AI伺服器和IoT物聯網元件在內的廣泛應用功耗 |
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首爾大學發表二維電晶體技術藍圖 攻克次世代半導體瓶頸 (2025.10.15)
首爾大學工學院日前宣布，由電機與電腦工程學系教授Chul-Ho Lee領導的團隊，為次世代半導體核心「二維 (2D) 電晶體」的「閘極堆疊」(gate stack) 技術，提出了一份全面的開發藍圖 |
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法國新創Quobly揭示百萬量子位元藍圖 用矽製程拚成本優勢 (2025.09.11)
法國量子運算新創公司Quobly的工程技術長Nicolas Daval，於半導體展(SEMICON Taiwan)期間特別來台，並舉行一場媒體說明會。闡述該公司如何運用現有半導體生態系，打造可擴展、百萬量子位元（Qubit）量子電腦的計畫 |
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Rapidus啟動2奈米試產 搶攻先進製程市場重振日本半導體雄風 (2025.08.01)
日本半導體產業正掀起復興浪潮。由政府主導支持的新興晶圓代工公司 Rapidus 宣布，將於 2025 年展開 2 奈米製程的試產計畫，並計劃 在 7 月推出首批樣板晶片。該計畫獲得日本政府 超過 5.4 億美元的資金補助，象徵日本決心重返全球先進製程競賽的戰略目標 |
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興大和成大聯手打造全球首見懸浮式鐵電二維電晶體 (2025.07.04)
突破材料限制開啟建構晶片新局面。在國科會自然司、尖端晶體材料開發及製作計畫與A世代前瞻半導體專案計畫，以及教育部特色領域研究中心計劃的大力支持下，由中興大學與成功大學共組的研究團隊 |
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英國突破GaN電晶體技術 為6G通訊開創新視野 (2025.06.16)
根據外媒報導，英國布里斯托大學（University of Bristol）的研究團隊成功開發出「超晶格櫛形場效電晶體」（Superlattice Castellated Field Effect Transistors, SLCFETs），透過創新的氮化鎵（GaN）材料中的「閂鎖效應」（latch effect） |
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2奈米製程競爭白熱化 台積電領先、三星追趕、英特爾奮力 (2025.03.13)
在全球半導體產業中，2奈米製程技術的發展正成為各大晶圓代工廠爭相追逐的焦點。台積電、三星和英特爾三大廠商，皆計劃在2025年實現2奈米製程的量產。
台積電在先進製程方面持續領先 |
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台積電發表N2製程技術 2奈米晶片效能再升級 (2024.12.16)
台積電本週於舊金山舉行的IEEE國際電子元件會議(IEDM)上，發表了其下一代名為N2的2奈米電晶體技術，也是台積電全新的電晶體架構－環繞閘極(GAA)或奈米片（NanoSheet）。目前包含三星也擁有生產類似電晶體的製程，英特爾和台積電，以及日本的Rapidus都預計在2025年開始量產 |
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跨過半導體極限高牆 奈米片推動摩爾定律發展 (2024.08.21)
奈米片技術在推動摩爾定律的進一步發展中扮演著關鍵角色。
儘管面臨圖案化與蝕刻、熱處理、材料選擇和短通道效應等挑戰，
然而，透過先進的技術和創新，這些挑戰正在逐步被克服 |
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FlexEnable柔性顯示技術創新產品目前已出貨 (2024.06.18)
開發和生產用於有源光學和顯示器的柔性有機電子產品供應商FlexEnable宣布，全球首款採用有機電晶體技術的量產消費電子產品已開始出貨。這款名為Ledger Stax的裝置是由法國市場領導者Ledger 開發的安全加密錢包 |
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Power Integrations收購Odyssey 為GaN技術的持續發展提供支援 (2024.05.08)
Power Integrations這家節能型電源轉換領域的高壓積體電路領導廠商，宣佈收購垂直氮化鎵 (GaN) 電晶體技術開發者 Odyssey Semiconductor 的資產。這項交易預計將於 2024 年 7 月完成，之後 Odyssey 的所有重要員工預期會加入 Power Integrations 的技術組織 |
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宜普：氮化鎵將取代650伏特以下MOFEST市場 規模約數十億美元 (2023.09.04)
隨著氮化鎵 （GaN）技術在各產業中扮演起重要的角色，中國政府已積極透過資助計畫、研發補助以及激勵政策等方式來支持氮化鎵技術在中國的發展。此外，中國近年來出現了許多專注於研發氮化鎵的公司，並且包括復旦大學、南京大學、浙江大學及中國科學院等大學或研究機構也積極地投入氮化鎵相關領域的研究及發展 |
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國研院頒發研發服務平台亮點成果獎 成大研究團隊獲特優獎 (2023.08.31)
為了表彰產官學研各界使用國研院旗下的7個研究中心所提供的各種專業研發服務平台，進而研發前瞻科學與技術成果，國研院徵選「研發服務平台亮點成果獎」，2023年由成功大學電機工程學系詹寶珠特聘教授的研究團隊獲得特優獎 |
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ST：提供全面系統解決方案 為工業激發智慧並永續創新 (2023.07.17)
利用意法半導體2023年工業巡迴論壇的機會，CTIMES零組件雜誌也特別專訪了意法半導體亞太區功率離散和類比產品部行銷和應用副總裁 Francesco Muggeri，詳細闡述ST在工業領域的技術創新 |
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意法半導體100W和65W VIPerGaN功率轉換晶片 可節省空間 (2023.05.26)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）之高壓寬能隙功率轉換晶片系列新增VIPerGaN100和VIPerGaN65兩款產品，適合最大功率100W和65W的單開關準諧振（Quasi-Resonant，QR）返馳式轉換器 |
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國研院半導體研究中心主任交接 持續扮演產業堅強後盾 (2022.10.03)
關於半導體產業的科技戰略地位重要性，從台灣半導體製造與封測產值全球第一，晶片設計全球第二可見其重要程度。面對歐美日韓中等國的強勢挑戰的關鍵時刻，國家實驗研究院今(3)日舉行台灣半導體研究中心主任交接典禮，由陽明交通大學電子研究所講座教授侯拓宏接任 |
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應用材料推出EUV延展2D微縮與3D閘極全環電晶體技術 (2022.04.25)
應用材料公司推出多項創新技術，協助客戶運用EUV持續進行2D微縮，並展示業界最完整的次世代3D閘極全環電晶體製造技術組合。
晶片製造商正試圖透過兩個可相互搭配的途徑來增加未來幾年的電晶體密度 |
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英特爾挹注330億歐元 投資歐盟半導體研發及製造 (2022.03.16)
英特爾宣佈未來十年在歐盟整個半導體價值鏈上投資800億歐元的第一階段計劃，投資範圍涵蓋研發、製造和最先進的封裝技術。計劃包括在德國投資170億歐元興建一座先進半導體晶圓廠，在法國創建一座新的研發和設計中心，並在愛爾蘭、義大利、波蘭和西班牙擴大研發、製造、代工服務和後端生產 |
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Ampleon推挽整合型Doherty電晶體 Sub-6GHz頻段降低佈局 (2022.02.25)
埃賦隆半導體（Ampleon）利用先進的LDMOS電晶體技術，推出B11G3338N80D推挽式3級全整合型Doherty射頻電晶體，該電晶體是GEN11 Macro驅動器系列的載體產品，涵蓋所有Sub-6GHz頻段。
這種高效的多頻段器件覆蓋3.3至3.8GHz的頻率範圍，可實現下一代大功率和具有市場領先效率的大型基地台 |
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imec攜手魯汶大學與PragmatIC 展出低功耗高速可撓式MCU (2022.02.22)
在本周的 2022年國際固態電路研討會（International Solid-State Circuits Conference，2022 ISSCC）上，imec與魯汶大學，以及PragmatIC Semiconductor，共同展示了採用 0.8 微米金屬氧化物軟性技術的最快速8位元微處理器，能夠即時運算複雜的組合代碼 |
