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Diodes推出首款極小DSN1406 2A 封裝的肖特基整流器 (2024.03.21)
Diodes 公司發佈特基整流器系列，包括SDT2U30CP3 (30V/2A)、SDT2U40CP3 (40V/2A) 和 SDT2U60CP3 (60V/2A) ，在同級產品中實現了極高的電流密度，以低順向壓降和熱阻的特性，為體積更小且更有效率的可攜式、行動和穿戴式設備克服了設計難題 |
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艾邁斯歐司朗RGB版本OSTAR Projection Compact LED適用於機器視覺和舞台照明 (2023.12.11)
艾邁斯歐司朗（ams OSRAM）推出OSTAR Projection Compact系列半高、超高亮度LED的紅光、純綠光和藍光版本，使得機器視覺系統或舞台照明設備製造商可創造出功能更強大、外形更纖薄的產品 |
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材料創新與測試技術並進 第三代半導體開啟應用新革命 (2023.08.23)
第三代半導體已經在電力能源、電動車、工業市場等領域獲得具體應用。
其高功率密度和高頻率特性，成為現代能源轉換和電動化趨勢的關鍵。
然而開發過程仍然需解決材料、製程、封裝、可靠性測試等挑戰 |
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3D 異質整合設計與驗證挑戰 (2023.02.20)
下一代半導體產品越來越依賴垂直整合技術來推動系統密度、速度和產出改善。由於多個物理學之間的耦合效應，對於強大的晶片-封裝-系統設計而言，聯合模擬和聯合分析至關重要 |
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認識線性功率MOSFET (2022.10.18)
本文針對MOSFET的運作模式，元件方案，以及其應用範例進行說明，剖析標準MOSFET的基本原理、應用優勢，與方案選擇的應用思考。 |
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瑞薩推出新一代用於電動汽車逆變器的矽IGBT (2022.08.30)
瑞薩電子（Renesas Electronics）宣布開發新一代矽絕緣柵雙極電晶體（Si-IGBT），以提供低功率損耗且小型的封裝。針對新一代電動汽車（EV）逆變器的AE5 IGBT將於2023年上半年開始在瑞薩位於日本那珂市工廠的200和300毫米產線上生產 |
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SiC牽引逆變器降低功率損耗和熱散逸 (2022.08.25)
本文說明如何在EV牽引逆變器中驅動碳化矽（SiC）MOSFET，透過降低電阻和開關損耗來提高效率，同時增加功率和電流密度。 |
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TI：SiC MOSFET可減少功率損耗和熱散逸 (2022.08.11)
隨著電動車（EV）製造商之間為了開發成本更低、續航里程更長的車型所進行的競爭日益激烈，電力系統工程師必須設法藉由降低功率損耗和提高牽引逆變器系統效率，來提升續航里程並增加競爭優勢 |
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英飛凌助力台達雙向逆變器 化EV為家庭緊急備用電源 (2022.08.03)
英飛凌宣布旗下CoolSiC產品獲得台達電子（Delta Electronics）選用，助力台達朝向利用綠色電力實現能源轉型與碳中和的目標邁出了一大步。
台達成功開發出的雙向逆變器，透過結合太陽能發電、儲能與電動車（EV）充電的三合一系統，讓電動車搖身一變成為家用緊急備用電源 |
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英搏爾率先採用英飛凌750 V車規級分立式IGBT EDT2元件 (2022.06.10)
珠海英搏爾電氣股份有限公司，率先引入英飛凌科技股份有限公司最新推出750 V車規級IGBT ，包括AIKQ120N75CP2和AIKQ200N75CP2兩款型號。
這款分立式IGBT EDT2元件採用TO-247PLUS封裝，可以提升電動汽車主逆變器和直流鏈路放電開關的性能，並節約系統成本 |
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Diodes推出超小型CSP蕭特基整流器 可節省電路板空間 (2022.05.04)
Diodes公司（Diodes）宣布推出一系列以超小型晶片級封裝（CSP）的高電流蕭特基（Schottky）整流器，SDM5U45EP3（5A、45V）、SDM4A40EP3（4A、40V）及SDT4U40EP3（4A、40V）達到業界同級最高電流密度，滿足市場對於尺寸更小、更高功率的電子系統需求 |
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適用於電池供電設備的熱感知高功率高壓板 (2021.12.30)
電池供電馬達控制方案為設計人員帶來多項挑戰，例如，優化印刷電路板熱效能至今仍十分棘手且耗時... |
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Vicor AI處理器橫向供電解決方案獲2021年全球電子成就獎 (2021.12.16)
Vicor憑藉其應用在大電流AI 處理器上的分比式電源架構（FPA）的橫向供電解決方案，榮獲2021年全球電子成就獎（WEAA），電源管理/電壓轉換器類別的年度最具創新產品獎。與Vicor同時榮獲該獎項的共有六家公司，為亞諾德、聖邦微、金升陽、艾普淩科、Power Integrations |
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從原理到實例：詳解SiC MOSFET如何提高電源轉換效率 (2021.10.12)
本文以Cree/Wolfspeed的第三代SiC MOSFET為例，分析其效率和散熱能力方面的優勢，並說明如何使用此類元件進行設計。 |
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ROHM推出第五代Pch MOSFET 導通電阻大幅減半 (2020.12.28)
半導體製造日商ROHM研發出共計24款Pch MOSFET產品，包括支援24V輸入電壓的耐壓－40V和－60V單極型「RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列」和雙極型「UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列」，適用於FA、機器人、空調裝置等工控裝置之風扇馬達和電源管理開關，以及大型消費性電子裝置用之風扇馬達、空調和電源管理開關 |
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邁向1nm世代的前、中、後段製程技術進展 (2020.12.08)
為了實現1nm技術節點與延續摩爾定律，本文介紹前、中、後段製程的新興技術與材料開發，並提供更多在未來發展上的創新可能。 |
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電源元件市場高成長 激化品牌創新與縱橫合作 (2020.12.02)
再生能源、智慧運算與無線互聯的科技願景當前，尋獲最適的新興材料、元件架構與系統設計，成為全球電源元件供應大廠爭相追求的火種—迸發創新的束束火光，已然在全球前沿電力電子市場發散熱力 |
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高能效儲能系統中多階拓撲之優勢 (2020.12.02)
開關元件的功耗降低可減少散熱，較低的諧波內容僅需較少的濾波且 EMI 明顯降低。 |
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SiC MOSFET應用技術在雪崩條件下的魯棒性評估 (2020.08.18)
本文透過模擬雪崩事件，進行非鉗位元感性負載開關測試，並使用不同的SiC MOSFET元件，依照不同的測試條件，評估技術的失效能量和魯棒性。 |
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KLA全新電子束缺陷檢測系統 以深度學習提供先進IC缺陷檢測 (2020.07.21)
KLA公司今天宣布推出eSL10電子束圖案化晶圓缺陷檢測系統。該系統旨在通過檢測來發現光學或其他電子束缺陷檢測系統無法穩定偵測的缺陷，加快高性能邏輯和記憶體晶片，其中包括那些依賴於極紫外線（EUV）光刻技術的晶片的上市時間 |
