CTIMES - 多次燒錄唯讀記憶體

Microchip推出新型串列式EEPROM產品 (2004.01.14)
微控制器與類比元件半導體廠商Microchip Technology宣布推出新型串列式EEPROM產品，提供設計人員在低電流運作模式下能有快速的工作速度及較短的寫入時間，以幫助用戶更快且更有效地擷取大量資料

快閃碟廠商結盟推廣攜帶型存儲裝置 (2003.12.09)
數家廠商共組產業組織以推廣一種能夠小到能夠掛在鑰匙鏈上的攜帶型資料存儲設備。這個稱為USB快閃碟聯盟（USB Flash Drive Alliance）的產業組織由Lexar Media、三星半導體以及其他幾家廠商共同成立

大陸儲存晶片市場發展趨勢分析 (2003.12.05)
隨著Flash在通訊、消費性、PC領域的普遍應用，未來Flash必將成?發展最快、最有市場潛力的儲存晶片產品，PC及行動電話產業的發展狀況就決定了儲存晶片的發展前景。本文將從PC與手機應用需求的角度，探討大陸Flash的市場發展趨勢

Toshiba與San Disk將合資興建12吋晶圓廠 (2003.12.04)
據經濟日報報導，日本半導體大廠東芝（Toshiba）3日宣布將與美商新帝（San Disk）合資興建12吋晶圓廠，以擴大資料存取型快閃記憶體（Data Flash）產能，而瑞薩（Renesas）、爾必達（Elpida）及富士通等IDM大廠，2004年也將調高資本支出，後段封測訂單則將擴大委外，交予京元電、力成等業者

年底需求旺快閃記憶體合約價持續上揚 (2003.12.02)
據南韓中央日報報導，MP3、隨身碟、數位相機等產品因年底旺季而需求大增，關鍵零組件快閃記憶體價格亦因供不應求而持續上揚，512M NAND型快閃記憶體合約價已從第二季的10美元上升至第四季的13美元

市調機構預期Flash產值5年內超越DRAM (2003.12.01)
據經濟日報報導，由於記憶體業者南韓三星、海力士（Hynix）、力晶等2004年將大舉調撥產能在資料存取型快閃記憶體（Data Flash），大幅減少DRAM供給，預計該缺口將逾5％，而市調機構預期，未來五年Data Flash的複合成長率將超越DRAM，產值達150億美元規模

誰是Flash龍頭? 三星與英特爾分庭抗禮 (2003.11.25)
市調機構iSuppli公佈2003年第三季全球快閃記憶體（Flash）供應商排名，南韓三星（Samsung）取代英特爾（Intel）成為全球最大供應商；但隨後另一市調機構Semico Research公佈相同的調查卻顯示，英特爾仍是最大Flash業者；對此Semico認為，NAND及NOR快閃記憶體不應加總計算，英特爾及三星分別應該是NOR及NAND型快閃記憶體最大供應商

三星集中資源生產Flash以確保龍頭地位 (2003.11.22)
電子時報消息，因消費性電子產品及其週邊設備對於NAND型Flash需求量只增未減，全球第一大NAND型Flash供應商三星，為持續保有市場佔率、掌握龐大商機，並拉開與競爭對手的距離，已將其晶圓廠生產線大幅度由DRAM轉做生產NAND型Flash

Renesas將委託力晶代工生產快閃記憶體 (2003.11.19)
日本半導體大廠日立與三菱合資之瑞薩半導體（Renesas）日前宣布將應用於數位相機和行動電話的1Gb快閃記憶體晶片，委託台灣力晶半導體代工，以提高產量；瑞薩表示，力晶將於2004年4～9月開始量產高容量的AND型快閃記憶體

旺宏未來Flash產品研發將以自有技術為主 (2003.10.28)
據Digitimes報導，由於目前全球Flash市場需求量不斷向上突破，國內記憶體業者旺宏未來在Flash研發上將著重在N-bit部份，原因在於Flash必須要擁有自有技術，該公司亦與Renesas簽訂Flash合作備忘錄，雙方將合作開發採用0.13微米製程DINOR規格128Mb的Flash，旺宏這部份則將全權主導製造機器設備及製程技術

快閃記憶卡本季將再漲價20％至25％ (2003.10.22)
三星、東芝第四季起雖提高NAND快閃記憶體出貨量，但二家大廠約七成NAND晶片產能仍被手機與數位相機大廠包下，現貨市場中晶片缺貨問題仍然嚴重，不過因終端市場需求不減反增，業界人士預估第四季快閃記憶卡價格仍將上漲20％至25％，256MB快閃記憶卡平均價格將高於80美元