 |
M-Systems為Sendo提供非揮發性記憶體解決方案 (2004.11.25) M-Systems與英國伯明罕手機製造商Sendo於25日宣布,Sendo將使用Mobile DiskOnChip快閃磁碟,作為該公司多媒體智慧型手機:Sendo X內部的非揮發性記憶體解決方案。 Sendo X以Symbian/Series-60平台為基礎,提供了多項創新功能,尤其是多媒體、連線速率和網路功能方面 |
 |
研華將M-Systems mDiskOnChip G3併入RISC產品線 (2004.06.09) M-Systems與全球電子平台服務業者研華宣布,該公司RISC嵌入式電腦平台(SBC/SOM)產品線,將採用M-Systems剛推出的mDiskOnChip G3快閃磁碟,提高板上型非揮發式資料與程式碼儲存容量 |
 |
研華將M-Systems mDiskOnChip G3併入RISC產品線 (2004.06.09) M-Systems與全球電子平台服務業者研華宣布,該公司RISC嵌入式電腦平台(SBC/SOM)產品線,將採用M-Systems剛推出的mDiskOnChip G3快閃磁碟,提高板上型非揮發式資料與程式碼儲存容量 |
 |
英特爾積極擴產以奪回Flash第一大廠寶座 (2004.06.07) 據外電報導,英特爾為奪回全球快閃記憶體(Flash)第一大廠寶座,已於2月份開始積極進行擴產動作,計劃在2004年將Flash產能提升3倍,並在2006年進一步提升產能10倍以上 |
 |
英特爾積極擴產以奪回Flash第一大廠寶座 (2004.06.07) 據外電報導,英特爾為奪回全球快閃記憶體(Flash)第一大廠寶座,已於2月份開始積極進行擴產動作,計劃在2004年將Flash產能提升3倍,並在2006年進一步提升產能10倍以上 |
 |
ST針對EEPROM發佈MLP8 2x3封裝技術 (2004.05.05) ST發佈最小型封裝技術MLP8 2x3。這種技術也稱為UFDFPN8,它遵循JEDEC規範。據稱8腳位的MLP8 2x3封裝尺寸比TSSOP8 3x3 (5x3 footprint)封裝縮小約60%的空間。8引腳的UFDFPN8採用超薄、細間距、雙平面無鉛封裝(Dual-Flat-Package No-lead)的封裝技術,寬度僅2mm,長度僅3mm |
 |
ST針對EEPROM發佈MLP8 2x3封裝技術 (2004.05.05) ST發佈最小型封裝技術MLP8 2x3。這種技術也稱為UFDFPN8,它遵循JEDEC規範。據稱8腳位的MLP8 2x3封裝尺寸比TSSOP8 3x3 (5x3 footprint)封裝縮小約60%的空間。8引腳的UFDFPN8採用超薄、細間距、雙平面無鉛封裝(Dual-Flat-Package No-lead)的封裝技術,寬度僅2mm,長度僅3mm |
 |
消費性電子市場熱絡 日廠投資積極 (2004.04.15) 據工商時報消息,因消費性電子產品市場熱絡,日本半導體廠商近來投資積極,電子大廠夏普(Sharp)日前宣布將印刷電路板新廠,生產供行動電話機、數位相機使用之可折性基板 |
 |
消費性電子市場熱絡 日廠投資積極 (2004.04.15) 據工商時報消息,因消費性電子產品市場熱絡,日本半導體廠商近來投資積極,電子大廠夏普(Sharp)日前宣布將印刷電路板新廠,生產供行動電話機、數位相機使用之可折性基板 |
 |
東芝宣佈提高35%快閃記憶體新廠投資 (2004.04.13) 據路透社報導,全球第五大晶片製造商日本東芝日前表示,該公司將加碼快閃記憶體新廠之投資額,該金額最新規模將達2700億日圓(約25.6億美元),較原先金額增加幅度高達35% |
 |
東芝宣佈提高35%快閃記憶體新廠投資 (2004.04.13) 據路透社報導,全球第五大晶片製造商日本東芝日前表示,該公司將加碼快閃記憶體新廠之投資額,該金額最新規模將達2700億日圓(約25.6億美元),較原先金額增加幅度高達35% |
 |
由NOR Flash大廠發展看台灣廠商決勝機會 (2004.04.05) 多媒體影音的高階手機獲得廣大消費者的青睞之後,逐漸敲開高階手機市場大門。各廠商無不奮力研發絕佳的手機產品,隨著手機出貨量的持續上揚,Nor Flash的產量也隨之水長船高 |
 |
茂德成功發行2.71億美元全球存託憑證 (2004.03.09) 茂德科技宣佈該公司全球存託憑證(GRD)完成定價,將以4.72美元的價位發行總值為2.71億美元的GDR,這次發行的GDR如以3月8日台灣股市收盤價來看,折價率僅9.7%,這是台灣DRAM廠近三年來發行GDR中,折價幅度最低的一次 |
 |
茂德成功發行2.71億美元全球存託憑證 (2004.03.09) 茂德科技宣佈該公司全球存託憑證(GRD)完成定價,將以4.72美元的價位發行總值為2.71億美元的GDR,這次發行的GDR如以3月8日台灣股市收盤價來看,折價率僅9.7%,這是台灣DRAM廠近三年來發行GDR中,折價幅度最低的一次 |
 |
英特爾計畫將Flash移往奧勒岡12吋廠生產 (2004.02.09) 網站Semiconductor Reporter引述市場分析師說法指出,英特爾(Intel)稍早前宣佈將部份NOR型快閃記憶體(Flash)生產從美國加州移往奧勒岡州Hillsboro 12吋晶圓廠的做法,代表英特爾抵抗三星(Samsung)重登記憶體晶片龍頭的強烈企圖心,而目前英特爾全新Flash生產策略也略見雛形 |
 |
英特爾計畫將Flash移往奧勒岡12吋廠生產 (2004.02.09) 網站Semiconductor Reporter引述市場分析師說法指出,英特爾(Intel)稍早前宣佈將部份NOR型快閃記憶體(Flash)生產從美國加州移往奧勒岡州Hillsboro 12吋晶圓廠的做法,代表英特爾抵抗三星(Samsung)重登記憶體晶片龍頭的強烈企圖心,而目前英特爾全新Flash生產策略也略見雛形 |
 |
NOR Flash成長驅動力分析 (2004.02.05) NOR Flash為目前快閃記憶體的主流產品,在整體的Flash市場上佔有極高的佔有率。促成NOR Flash市場成長動力的主要來源為手機、PDA等,本文將以NOR Flash的應用方向作一全面的分析與展望 |
 |
Hynix宣佈開始量產NAND型快閃記憶體 (2004.02.04) 路透社報導,韓國記憶體大廠Hynix日前表示,由於手機與數位相機市場對記憶體需求龐大,該公司將從2月起開始量產快閃記憶體(Flash);Hynix是在2003年初時與意法半導體進行快閃記憶體晶片開發與生產的合作 |
 |
Hynix宣佈開始量產NAND型快閃記憶體 (2004.02.04) 路透社報導,韓國記憶體大廠Hynix日前表示,由於手機與數位相機市場對記憶體需求龐大,該公司將從2月起開始量產快閃記憶體(Flash);Hynix是在2003年初時與意法半導體進行快閃記憶體晶片開發與生產的合作 |
 |
Microchip推出新型串列式EEPROM產品 (2004.01.14) 微控制器與類比元件半導體廠商Microchip Technology宣布推出新型串列式EEPROM產品,提供設計人員在低電流運作模式下能有快速的工作速度及較短的寫入時間,以幫助用戶更快且更有效地擷取大量資料 |