CTIMES - Mosfet

ST高效能功率MOSFET產品提升照明應用性能 (2006.12.06)
功率半導體產品製造商意法半導體(ST)，宣布推出新一系列功率MOSFET產品的第一款產品。新的功率MOSFET系列產品具備極低的ON-resistence及優異的動態和avalanche特性，可幫助客戶大幅地降低其照明應用的傳導損耗及強化其產品的效能和可靠性

奈米世代可以研續摩爾定律嗎？ (2006.11.02)
奈米世代可以研續摩爾定律嗎？

奈米世代下的半導體技術動向 (2006.10.04)
半導體元件的加工尺寸進入奈米世代，但利用微細化技術提高半導體元件性能的願望一直不易實現，因此出現許多性能提升指標，其中利用歪斜（strain）效應與元件結構三次元化等技術最受囑目

未來汽車之先進電子系統設計 (2006.09.05)
現今的汽車正把越來越多的電子產品整合進來。在 1995 到 2005 年間，汽車採用的半導體元件數量預期到 2009 年將增加至 425％，電子及電氣設備在汽車中所占比重預計也將從目前的15％攀升到2015年的35％

準諧振反馳式電源設計探討 (2006.08.07)
降低成本和增加可靠性是電源設計工程師的目標。利用準諧振技術可以協助設計工程師實現這些目標。準諧振或谷底開關能減輕MOSFET的設計壓力，並進而提高其可靠性。本文將描述準諧振架構背後的理論及其實作方式，並說明這類反馳式電源的使用價值

簡單閂鎖式過電流錯誤偵測電路介紹 (2006.08.07)
簡易閂鎖式過電流錯誤偵測電路可以在輸入電壓超過2.7V的150μs後立即提供保護，同時也可以透過外部P通道切換開關的閘極電壓限制在電源啟動時帶來衝入電流限制功能。本文將介紹應用於低電壓電路保護，具備快速反應能力的簡易過電流偵測電路

功率MOSFET PSPICE模型設計考量 (2006.04.01)
電源元件密度的持續增加與相關成本的持續壓縮，在過去幾年來對精確的熱能設計提出了更嚴苛的要求。因此，有關熱問題與電子系統效能間之相互影響的專有知識，是實現更具競爭力設計的關鍵

Linear新款充電控制器可充任何容量電容 (2006.02.21)
Linear發表一款專門設計以快速充電大電容至高達1000V的返馳控制器LT3750。LT3750可驅動一個外部高電流N通道MOSFET，並能在少於300ms的時間內對一個100uF電容充電至300V，使其成為專業照相閃光燈系統、RF 保全、庫存控制系統及特定高壓電源應用之理想選擇

ST新款功率MOSFET STD95N04 (2006.02.21)
ST發表一款專為汽車市場設計的大電流功率MOSFET，該元件採用ST專利的STripFET技術，可實現超低導通電阻。全新的STD95N04是40V的標準邏輯位準DPAK元件，最大導通電阻（RDS(on)）僅6.5m歐姆

IR新MOSFET晶片組提高2％輕負載效率 (2006.02.10)
國際整流器（International Rectifier；IR）推出一對新型30V HEXFET功率MOSFET。相比於採用30V MOSFET的解決方案，它們可提供高出2％的輕負載效率，用於驅動最新Intel和AMD處理器中的45A、二相同步降壓轉換器，適用範圍包括筆記簿型電腦及其他高效能電腦應用

替代傳統共振方式 (2005.12.05)
電源供應器增加功率密度的壓力與日俱增，於是在這前提下產生了數個需求：改善半導體和被動元件的效益及創新架構，以便從全新半導體元件之功能中獲得有利的好處。本文將探討最近發展的高壓超接合面功率MOSFET以及矽晶碳化物Schottky二極體，並比較採用硬式切換或共振方式在性能、系統成本和可靠度方面的優缺點

選擇正確的功率MOSFET封裝 (2004.07.01)
當終端設備對於電源效率的需求越高，電源管理系統中更高效能的元件也越被重視。由於矽科技在進化的過程中，漸漸使封裝成為元件達到更高效能的絆腳石，因此，為兼顧散熱需求與效率，引進更先進的功率MOSFET封裝勢在必行

汽車電路保護技術概述 (2004.04.05)
汽車電子設備的設計必須具備防止反極性電源（reverse polarity），反極性電源的發生為當纜線連接到無電源、電池跨接錯誤或是新電池安裝倒反的狀態。本文就汽車的電子設備設計上，探討干擾若干系統之功效的缺失，並分析建議其可以改進之處

強化操作效率 Zetex提升MOSFET功率耗散 (2003.12.22)
Zetex推出全新20V和30V N通道電晶體，將舊型SOT23封裝MOSFET的導通電阻減半、漏電流提升一倍，在25°C環境溫度下功率耗散由625mW提升至1W。新的ZXMN2A14F及ZXMN3A14F強化溝道MOSFET，採用Zetex SOT23封裝，再加上接點至環境的熱阻比舊型SOT23元件低37%，由每瓦特200°C銳減至125°C，這兩款元件更可發揮極大的效益

電源啟動順序控制電路設計 (2003.11.05)
有許多應用需要在電源的開關過程中控制它的順序，電源啟動順序控制能解決避免雙載子積體電路在開關機過程中鎖死效應的問題，本文將就開關機過程中達成特定週期的數種電源啟動順序控制的設計方式作介紹

三相位轉換器之建置與操作 (2002.08.05)
以具有極度瞬間響應（transient response）的低電壓供應穩定的電流，是IT電力管理的主要科技驅動器要素。本文將討論目前提供電力給 GHz 等級與 CPU 時所需要之 DC-DC 轉換器的特別要求、多相位拓樸學的優點，以及使用完整三相位同周期脈寬調變調節器積體電路的Intel VRM9.0 的建置情形

合乎成本效益的 20V MOSFET 技術 (2002.06.05)
今日分散式電源供應器工程師所面臨的挑戰，是必須在尺寸精巧、最低成本的條件下，設計出熱、電效能良好的 DC-DC 轉換器。本文將討論如何採用20V MOSFET 取代 30V MOSFET ，以在合乎經濟原則的情況下，設計出適用於桌上型電腦及伺服器的高效率 DC-DC 轉換器

IR推出20V HEXFET MOSFET (2001.08.23)
國際整流器公司(IR)，全面擴展20V HEXFET功率MOSFET系列，引進10種新款產品，不但以更具成本效率的方式取代高容量桌上型電腦中的30V元件，而且效能完全不變。全新20V IRL3714和IRL3715 MOSFET晶體管系列

IR發表新款HEXFET功率MOSFET晶體管系列 (2001.06.06)
IR推出全新HEXFET功率MOSFET晶體管系列鎖定低功率電訊與數據通訊市場全球供電產品領導事業廠商國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR），宣佈推出產品代號為IRF5802與IRF7465的新型150V與200V MOSFET，不僅進一步擴展SOIC封裝的HEXFET功率MOSFET晶體管系列，更能滿足電信及數據通訊骨幹系統中DC-DC轉換器最低功率的需求