CTIMES - 動態隨機存取記憶體

中芯國際將以0.11微米製程為英飛凌代工DDRⅡ (2005.04.22)
據外電消息，中國大陸最大晶圓代工業者中芯國際表示，該公司已經導入0.11微米製程為英飛凌（Infineon）生產DDRⅡ晶片；中芯並且表示，在不久後可望以0.10微米製程，為另一技術合作夥伴爾必達（Elpida）打造DDRⅡ晶片

全球DRAM產出量成長趨緩 (2005.03.14)
據記憶體通路業者集邦科技統計，二月份全球DRAM產出約達4億7100萬顆256Mb約當顆粒，較一月份增加5％，其中自英飛凌月出貨量重回7300萬顆水準，此外包括三星、南亞科、爾必達等各家DRAM廠，二月份0

Elpida興建第二座12吋廠將導入80奈米製程 (2005.03.10)
日本DRAM業者爾必達（Elpida）表示，宣布將在2005年內對興建中的12吋晶圓廠廣島二廠投資1000億日圓（約9.5億美元），新廠預計於2005年12月開始量產。目前爾必達增強12吋晶圓產能計畫進度如預期，一廠採90奈米製程，目前生產線產能滿載，最大產能可達3萬片

南亞科計畫興建自有12吋晶圓廠 (2005.02.27)
DRAM南亞科技表示正在考量自行興建12吋晶圓廠，並且將全球市佔率由現行的5％提高至10％，但該公司並未提及時間表。南亞科技先前與德國英飛凌（Infineon）共同合資成立華亞科技；華亞目前擁有一座12吋晶圓廠，單月產能已達2.4萬片，並直接供貨予英飛凌及南亞科兩家母公司

Rambus向國際多家記憶體業者提出侵權訴訟 (2005.01.26)
據外電消息，美國記憶體晶片設計業者Rambus，分別對記憶體業者包括韓國Hynix、德國英飛凌（Infineon）、台灣南亞科技與Inotera Memories提起一項專利侵權訴訟，控告前述幾家公司的DDR2記憶體設備，以及GDDR2和GDDR3圖形記憶體設備，侵犯其多達18項的專利

專利侵權告不完　Mosaid宣布已與三星和解 (2005.01.24)
據外電消息，加拿大半導體廠商Mosaid Technologies於2001年在美國控告南韓三星電子（Samsung Electronics）侵犯該公司7項DRAM科技專利權，日前Mosaid表示該訴訟已與三星達成和解，雙方將簽訂為期5年的授權協定，由三星支付Mosaid權利金；但雙方並未透露相關細節

傳茂德計畫斥資10億美元在中國興建晶圓廠 (2005.01.19)
繼南韓DRAM廠三星電子宣布提高半導體資本支出後；國內DRAM業者力晶、茂德與華亞科技也紛紛展開開始進行新的籌資建廠計劃；據業界消息，其中茂德計畫一旦赴中國投資8吋晶圓廠申請案通過後，在2005下半年即斥資十億美元興建中國新廠

營運第一年就獲利華亞創12吋晶圓廠紀錄 (2005.01.17)
國內SRAM大廠南亞科技與德商英飛凌科技（Infineon）合資興建的12吋晶圓廠華亞科技總經理高啟全，於該公司年終晚會中指出，華亞2004年即創下全球首座12吋晶圓廠在第一年就獲利的紀錄，2005年將全力衝刺，朝第二階段月產能5.4萬片的目標邁進

2005年上半 DRAM小心跌價 (2005.01.16)
據外電消息，市場預期記憶體晶片價格在2005年中以前將下滑30％甚至更多，更不排除有低於製造成本的危險，主因是記憶體晶片製造商將2004年豐厚的獲利投資於新的生產線上，而激化供過於求情況

市況佳 DRAM廠商2005年擴大資本支出 (2005.01.05)
據外電消息，由於全球DRAM市場2004年成績亮眼，市調機構iSuppli發表預測報告指出，DRAM廠商為因應市場需求不斷提升，2005年應會持續擴大資本支出升級生產設備，並降低每顆DRAM的生產成本；預估全球前12大DRAM廠商2005年資本支出金額將達126億美元，超越2004年的105億美元

PC主記憶體邁向DDR2世代 (2005.01.01)
DRAM的高速化是PC主記憶體重要發展趨勢之一；目前400MHz的DDR　DRAM已逐漸無法滿足未來PC的高速需求，而更新一代的DDR2儼然成為接班主流；DDR2擁有比DDR更高的效能、速度及低耗電等特性，並有效提升周邊介面及裝置整體操作效能

DRAM市場2005年小成長 2006年恐陷衰退 (2004.12.21)
根據市調機構iSuppli針對記憶體市場所發布的最新報告，全球DRAM在2005年可望微幅成長，主因是包括256Mb轉512Mb、DDR轉DDR2、0.11微米轉90奈米等世代交替，將使DRAM供給端成長率受制，不至於出現供過於求現象；不過待2006年世代交替告一段落之後，各家DRAM供應商的12吋廠晶圓廠全面量產，將可能出現大幅衰退，並拖累當年全球半導體市場成長

下游庫存偏低 DRAM現貨價止跌反彈 (2004.12.14)
據業界消息，韓國、台灣DRAM現貨價在下游庫存偏低的情況下止跌反彈；其中台灣DDR400現貨報價平均價重新站上4美元整數關卡，韓國DDR400模組現貨價也從37美元回升至42美元，反彈幅度達11％

茂德科技公佈2004年11月營收 (2004.12.09)
茂德科技公佈11月營收為新台幣35.86億元，與去年同期相較，成長40.37%；累計1-11月營收為新台幣396.12億元，與去年同期相較，成長77.36%。茂德科技發言人林育中資深處長指出，11月份合約價維持與10月持平之水準，然因現貨價較上月下滑與受匯損之影響，故11月營收表現無法超越10月

力晶已向應材採購100套12吋晶圓設備 (2004.12.02)
半導體設備大廠應用材料宣佈，12吋晶圓廠月產能邁向4萬片的DRAM大廠力晶半導體，向應材採購的第100套12吋晶圓製程用鎢金屬化學機械研磨設備（CMP）已完成裝機，象徵雙方合作關係緊密

茂德捐贈價值9千萬的半導體製程設備 (2004.12.01)
茂德科技為響應行政院勞工委員會培訓「有準備的勞動力」政策，捐贈總價值逾新台幣九千萬元的除役半導體製程設備，作為中部地區新興產業科技人才培訓之用，協助勞委會為中部科學園區全面發展，將引發的高科技人才需求效應預作準備

茂德科技公佈九月營收 (2004.10.08)
茂德科技公佈九月營收為新台幣36億元，與去年同期相較，成長36%；累計一至九月營收為新台幣322億元，與去年同期相較，成長89%。茂德科技發言人林育中資深處長表示，由於九月DRAM合約價及現貨價皆上揚，故九月營收成長；十月上旬合約價及現貨價將維持相同的成長力道，預計十月營收將會比九月表現佳

產能吃緊台灣封測廠擬調漲代工價 (2004.09.01)
據市場消息，國內外記憶體廠商釋出給國內廠商的封測代工訂單量增加，但國內記憶體封測廠包括力成、泰林、南茂等因暫緩擴產，使得第四季封測產能可能出現不足現象；而其中在測試部份，業者表示因新機台最快要年底才會到位，在產能吃緊的情況下有部份廠商打算調高測試代工價因應

茂德科技DDR DRAM產品獲IBM及DELL認證通過 (2004.08.19)
茂德科技今(19)日宣佈以自行研發之0.12微米製程所生產256Mb DDR DRAM產品，獲一線大廠IBM及Dell驗證通過，該項殊榮同時顯示茂德自行研發能力獲國際合作夥伴肯定。茂德科技發言人林育中指出

Hynix與意法中國投資案簽約　總金額20億美元 (2004.08.18)
業界消息，韓國Hynix與歐洲意法半導體（ST）在中國大陸的投資案已經與無錫市高新區簽約，該案總投資金額將超過20億美元，包括8吋廠與12吋晶圓的規劃案。該案將是記憶體廠商在中國大陸最大的投資案