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2020第一季全球晶圆代工产值年增3成 新冠肺炎不利後续 (2020.03.19)
根据TrendForce旗下拓??产业研究院分析,2020年第一季晶圆代工产业延续上一季的订单??注与库存回补,预估总产值仅较前一季衰退2%,年度表现受惠2019年同期基期较低,年成长近30%
格罗方德22FDX平台首款eMRAM正式量产 (2020.03.03)
格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)的22nm FD-SOI(22FDX)平台上的嵌入式磁随机存取记忆体(eMRAM)已正式投入生产。同时格罗方德正与多家客户共同合作,计划於2020年实现多重下线生产
专注创新与品质 旺宏电子深耕记忆体产业三十年 (2020.01.09)
旺宏电子(Macronix)是专注於非挥发性记忆体的技术与解决方案,而且一路坚持了三十年。
工研院於IEDM发表下世代FRAM与MRAM技术获国际肯定 (2019.12.10)
工研院於今美国举办的IEEE国际电子元件会议(International Electron Devices Meeting;IEDM)中发表三篇铁电记忆体(Ferroelectric RAM;FRAM)以及三篇磁阻随机存取记忆体(Magnetoresistive Random-Access Memory;MRAM)相关技术重要论文,引领创新研发方向,并为新兴记忆体领域中发表篇数最多者
台湾半导体竞逐国际AI先锋 AITA会员暨SIG大会成立 (2019.11.26)
5G和AI是全球科技业未来5~10年的车头灯,也是引领台湾核心产业实力的左右手,掌握此两项技术的开发技术和创新应用,将会为台湾开拓明亮的科技新格局。 今年7月,在行政院科技会报办公室和经济部协助下
3D FeFET角逐记忆体市场 (2019.11.25)
爱美科技术总监Jan Van Houdt解释FeFET运作机制,以及预测这项令人振奋的「新选手」会怎样融入下一代记忆体的发展蓝图。
2019年10月(第336期)异质整合━晶片设计新「封」潮 (2019.10.07)
智慧手机的问世,给半导体产业设定了一个明确的目标, 就是晶片体积只能愈来愈小,同时功能还要愈来愈强大。 接着IoT来了,更多元的想像又被加了上去, 晶片的设计和制造至此来到一个新的转折
实现物联网与云端运算的新型记忆体技术 (2019.10.04)
研究指出,以 MRAM取代微控制器中的 eFlash 和 SRAM,可节省达 90% 的功耗。这些功耗与面积成本优势,使得MRAM成为边缘装置的理想选择。
新一代记忆体发威 MRAM开启下一波储存浪潮 (2019.09.24)
STT-MRAM可实现更高的密度、更少的功耗,和更低的成本。此外,STT-MRAM也非常有可能成为未来重要的记忆体技术。不止可以扩展至10nm以下制程,更可以挑战快闪记忆体的低成本
STT-MRAM技术优势多 嵌入式领域导入设计阶段 (2019.09.12)
目前有数家晶片制造商,正致力於开发名为STT-MRAM的新一代记忆体技术,然而这项技术仍存在其制造和测试等面向存在着诸多挑战。STT-MRAM(又称自旋转移转矩MRAM技术)具有在单一元件中,结合数种常规记忆体的特性而获得市场重视
群联携手Everspin 发展整合MRAM的SSD控制晶片 (2019.07.26)
群联电子宣布与Everspin策略联盟,整合Everspin的1Gb STT-MRAM,至群联的企业级SSD储存解决方案。 群联指出,MRAM是一种非挥发性记忆体技术,不仅断电时资料不会遗失,且有低功耗及读写速度高於NAND等特性
应用材料实现物联网与云端运算适用的新型记忆体技术 (2019.07.23)
应用材料公司因应物联网 (IoT) 和云端运算所需的新记忆体技术,推出创新、用於大量制造的解决方案,有利於加快产业采纳新记忆体技术的速度。 现今的大容量记忆体技术包括 DRAM、SRAM 和快闪记忆体,这些技术是在数十年前发明,已广为数位装置与系统所采用
低价刺激消费需求 SSD强势跃居主流 (2019.06.10)
2019年似??是购买SSD的绝隹时机,市场开始转向QLC NAND,而采用96层的3D NAND架构也可有效提高密度,并降低成本。接下来容量更高的消费型SSD将变得更为普遍。
TrendForce:次世代记忆体有??於2020年打入市场 (2019.05.20)
不论是DRAM或NAND Flash,现有的记忆体解决方案面临制程持续微缩的物理极限,意即要持续提升性能与降低成本都更加困难。因此,Intel Optane等次世代记忆体近年来广受讨论,希??在有限度或甚至不改变现有平台架构的前提下,找到新的解决方案
给科技部的科研专案与人才培育计画按个赞! (2019.03.25)
长期以来,台湾的产学落差一直为人诟病,尤其是在取得博士後所进行的研究,常是为了教职升等和论文积分,在实际的产业应用上并无太多的成果,更遗憾的,是未能充分发挥这些博士人才的优势,其实甚为可惜
清大研发全球首例自旋流解密MRAM关键瓶颈 (2019.03.14)
由国立清华大学赖志煌教授与林秀豪教授所带领的研究团队,在科技部长期的支持下,研究MRAM的特性、制程与操控,独步全球,成功以自旋流操控铁磁-反铁磁奈米膜层的磁性翻转,研究成果刊登於材料领域顶尖期刊《自然材料》(Nature Materials)
研发存储级记忆体! 旺宏与IBM续攻相变化记忆体技术 (2018.12.25)
旺宏电子(Macronix)董事会昨日决议通过,将与IBM签订合约,继续进行「相变化记忆体(PCM)」的合作开发。双方将共同分担研发费用,为期3年,合约计画期间为明年1月22日至2022年1月21日
爱德万测试研发出用於记忆测试系统STT-MRAM的切换电流测量系统 (2018.11.21)
半导体测试设备供应商爱德万测试宣布其与日本东北大学创新整合电子系统中心〈CIES〉的合作,本计画由东北大学电机研究所教授远藤哲夫主持,成功地研发出高速、高精确度模组,可以测量磁性随机存取记忆体〈STT-MRAM〉中记忆束的切换电流,这是众所期待用於爱德万测试记忆测试系统的次世代记忆技术,运作速度为微安培/奈米秒
FURUYA金属:因应硬碟片材料需求增加 将扩张??精制产能 (2018.06.22)
株式会社FURUYA金属宣布将对土浦工厂(茨城县土浦市泽边)进行投资,扩增??(Ru)精制产能。 FURUYA金属的土浦工厂拥有精制与回收高纯度??靶材(薄膜材料)及触媒等制品的产线,可以在短期间内进行高纯度的精制
关注次世代嵌入式记忆体技术的时候到了 (2018.01.25)
次世代记忆体的产品,如FRAM,MRAM和RRAM,在物联网与智慧应用的推动下,开始找到利基市场。


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