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群联携手Everspin 发展整合MRAM的SSD控制晶片 (2019.07.26)
群联电子宣布与Everspin策略联盟,整合Everspin的1Gb STT-MRAM,至群联的企业级SSD储存解决方案。 群联指出,MRAM是一种非挥发性记忆体技术,不仅断电时资料不会遗失,且有低功耗及读写速度高於NAND等特性
应用材料实现物联网与云端运算适用的新型记忆体技术 (2019.07.23)
应用材料公司因应物联网 (IoT) 和云端运算所需的新记忆体技术,推出创新、用於大量制造的解决方案,有利於加快产业采纳新记忆体技术的速度。 现今的大容量记忆体技术包括 DRAM、SRAM 和快闪记忆体,这些技术是在数十年前发明,已广为数位装置与系统所采用
低价刺激消费需求 SSD强势跃居主流 (2019.06.10)
2019年似??是购买SSD的绝隹时机,市场开始转向QLC NAND,而采用96层的3D NAND架构也可有效提高密度,并降低成本。接下来容量更高的消费型SSD将变得更为普遍。
TrendForce:次世代记忆体有??於2020年打入市场 (2019.05.20)
不论是DRAM或NAND Flash,现有的记忆体解决方案面临制程持续微缩的物理极限,意即要持续提升性能与降低成本都更加困难。因此,Intel Optane等次世代记忆体近年来广受讨论,希??在有限度或甚至不改变现有平台架构的前提下,找到新的解决方案
给科技部的科研专案与人才培育计画按个赞! (2019.03.25)
长期以来,台湾的产学落差一直为人诟病,尤其是在取得博士後所进行的研究,常是为了教职升等和论文积分,在实际的产业应用上并无太多的成果,更遗憾的,是未能充分发挥这些博士人才的优势,其实甚为可惜
清大研发全球首例自旋流解密MRAM关键瓶颈 (2019.03.14)
由国立清华大学赖志煌教授与林秀豪教授所带领的研究团队,在科技部长期的支持下,研究MRAM的特性、制程与操控,独步全球,成功以自旋流操控铁磁-反铁磁奈米膜层的磁性翻转,研究成果刊登於材料领域顶尖期刊《自然材料》(Nature Materials)
研发存储级记忆体! 旺宏与IBM续攻相变化记忆体技术 (2018.12.25)
旺宏电子(Macronix)董事会昨日决议通过,将与IBM签订合约,继续进行「相变化记忆体(PCM)」的合作开发。双方将共同分担研发费用,为期3年,合约计画期间为明年1月22日至2022年1月21日
爱德万测试研发出用於记忆测试系统STT-MRAM的切换电流测量系统 (2018.11.21)
半导体测试设备供应商爱德万测试宣布其与日本东北大学创新整合电子系统中心〈CIES〉的合作,本计画由东北大学电机研究所教授远藤哲夫主持,成功地研发出高速、高精确度模组,可以测量磁性随机存取记忆体〈STT-MRAM〉中记忆束的切换电流,这是众所期待用於爱德万测试记忆测试系统的次世代记忆技术,运作速度为微安培/奈米秒
FURUYA金属:因应硬碟片材料需求增加 将扩张??精制产能 (2018.06.22)
株式会社FURUYA金属宣布将对土浦工厂(茨城县土浦市泽边)进行投资,扩增??(Ru)精制产能。 FURUYA金属的土浦工厂拥有精制与回收高纯度??靶材(薄膜材料)及触媒等制品的产线,可以在短期间内进行高纯度的精制
关注次世代嵌入式记忆体技术的时候到了 (2018.01.25)
次世代记忆体的产品,如FRAM,MRAM和RRAM,在物联网与智慧应用的推动下,开始找到利基市场。
物联网与AI将推升次世代记忆体需求 (2017.12.25)
经过十多年的沉潜,次世代记忆体的产品,包含FRAM(铁电记忆体),MRAM(磁阻式随机存取记忆体)和RRAM(可变电阻式记忆体),在物联网与智慧应用的推动下,开始找到利基市场
2018 ISSCC引领先进半导体技术指标 台获选论文量居全球第三 (2017.11.16)
国际固态电路学会(International Solid-State Circuits Conference,ISSCC)2018年年会预计於2018年2月11日至2月15日於美国旧金山举行。ISSCC被誉为晶片(IC)设计领域奥林匹克大会,促进国际半导体与晶片系统之产学研专家的技术交流,在本次国际学术研讨会,台湾共有16篇论文入选,数量仅次於美国与韩国,居全球第三
由STT MRAM展望自旋电子学的未来与台湾机会 (2016.11.19)
本座谈会议针对现今国际与台湾在STT MRAM与Spintronics上的产学研状况进行一系列分析与探讨,邀请国际重量级专家与公司代表,就MRAM技术进展与市场进行估测,分析台湾的投入重点与进程/优势及劣势,并就自旋电子学的未来机会及应用潜力深入讨论,冀望大家借此交流机会共同为台湾自旋电子产业寻求合作与开发的契机
来扬科技携手主力分团 进军次世代记忆体市场 (2016.05.16)
传统记忆体的制程技术已达物理极限,国际大厂无不全力布局,一场次世代记忆体大战已隐然成型。为抢占未来全球记忆体市场,来扬科技整合本身电路设计能力后,以开放宏观的精神,进军次世代记忆体市场
内存界年度盛会 「GSA MEMORY+ CONFERENCE」10/31在台北晶华 (2013.10.17)
GSA Memory+ Conference Taiwan即将于10月31日星期四在台北晶华酒店隆重登场。今年将以「内存驱动未来系统应用」为主轴探讨相关议题。 本次论坛邀请到许多重量级嘉宾,开幕致词GSA总裁Jodi Shelton女士、GSA Memory+ Conference Organizing Committee主席暨旺宏电子 (Macronix International Co
尔必达重生 20nm DRAM年内量产 (2013.08.02)
还记得尔必达(Elpida)吗?它回来了! 曾经,因为过量生产导致价格崩坏,使得DRAM产业的制造商倒得一蹋胡涂。台湾厂商当中最惨的属茂德,连亏五年后,2012年股票下市,狼狈地退出DRAM产业
MRAM技术再突破 工研院启动全新内存战局!!(下) (2013.07.08)
MRAM是一种磁性多层膜的堆栈结构,在这当中最为关键的三层,上下两层为磁性层(一为参考层,一为自由层),中间则为绝缘层。早前的MRAM的磁性层的磁化方向是水平排列,并可由电流来控制旋转方向
MRAM技术再突破 工研院启动全新内存战局!!(上) (2013.07.02)
在工研院即将进入欢庆40周年院庆之际,工研院电光所的研究团队所开发出来的「垂直式自旋磁性内存技术」荣获杰出研究金牌奖,此一技术乍看之下并不显眼,但该内存技术的背后,却也牵动了未来全球半导体大厂的势力布局
工研院成立40周年 引领未来行动「微」新生活 (2013.06.28)
随着智能手机及iPAD热潮兴起,小、快、轻、省电不仅是未来行动装置趋势,各家厂商也积极朝向「组件微小化」进行突破。工研院在成立40周年前夕,发表工研院杰出研究奖与推广服务奖共三项金牌技术
美科学家展示自旋电子新进展 (2013.05.13)
物联网(IoT)催生出了一个物物相连,所有设备都搭载数据处理和联机能力的庞大网络,但如何让电子设备以最少的能源提供强大运算效能?一项科学研究可望为未来的电子技术发展奠定基础,美国德拉瓦大学(University of Delaware)的科学家们证实了过去仅存在于科学理论中,迄今从未确切证实的由电子产生的磁场


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