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國研院攜手台積電 成功開發磁性記憶體技術 (2024.02.20)
國研院半導體中心今（20）日也宣佈與台積電合作開發的「選擇器元件與自旋轉移力矩式磁性記憶體整合」（Selector and STT-MRAM Integration），於2023年12月電子元件會議IEDM（International Electron Devices Meeting）中發表，並獲選為Highlight Paper，成為全世界極少數成功開發出高密度、高容量的獨立式STT-MRAM製作技術團隊 |
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工研院與台積合作開發SOT-MRAM 降百倍功耗搶HPC商機 (2024.01.17)
面對現今人工智慧（AI）、5G構成的AIoT時代來臨，包括自駕車、精準醫療診斷、衛星影像辨識等應用須快速處理大量資料，要求更快、更穩、功耗更低的新世代記憶體成為各家大廠研發重點 |
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國科會114年度科技預算增至1800億元 拓展AI晶片與資安實力 (2024.01.17)
國家科學及技術委員會(國科會)於今(17)日召開第9次委員會議，並提報「114年度政府科技發展重點規劃」，將重點投入晶創臺灣方案、淨零科技及太空科技等，並強化培育頂尖優秀科研人才 |
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工研院與陽明交大、清大發表新型磁性記憶體與110GHz超高頻技術 (2023.06.15)
工研院分別攜手國立陽明交通大學與國立清華大學，在全球半導體領域頂尖之「超大型積體技術及電路國際會議」（Symposium on VLSI Technology and Circuits）、IEEE國際微波會議（IEEE／MTT-S International Microwave Symposium；IMS），發表新型磁性記憶體與110GHz超高頻模型技術成果 |
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經濟部發表新研發成果 領先三星推出最快磁性記憶體 (2022.09.14)
經濟部技術處SEMICON Taiwan科技專案成果主題館於今（14）日在「2022 SEMICON Taiwan」台北南港展覽館一館四樓N0662攤位正式登場！共展出33項創新技術！首先最吸睛的技術，是由工研院攜手多家台灣大廠，完成世界最快的SOT-MRAM陣列晶片，達成0.4奈秒高速寫入、7兆次讀寫的高耐受度，效能領先南韓大廠20% |
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聯電攜手Avalanche 推出航太用高密度P-SRAM裝置 (2022.09.13)
半導體晶圓廠商聯華電子與專精於MRAM技術的創新公司 Avalanche Technology於今（13）日推出具有高可靠度的持續性靜態隨機存取記憶體（Persistent Static Random Access Memory；P-SRAM） |
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工業儲存技術再進化！ (2022.08.26)
近年來，半導體先進製程微縮趨勢帶動下，加上AI人工智慧、5G與AIoT等科技加速推進，3C設備、智慧家電、智慧汽車、智慧城市到國防航太等領域都可以應用大量晶片記錄海量數據 |
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工研院攜手台積、陽明交大 在VLSI發表頂尖磁性記憶體技術 (2022.06.15)
工研院在今（15）日宣布，與台積電合作開發世界前瞻的自旋軌道扭矩磁性記憶體（Spin Orbit Torque Magnetoresistive Random Access Memory；SOT-MRAM）陣列晶片；另外，工研院也攜手國立陽明交通大學，研發出工作溫度橫跨近400度之新興磁性記憶體技術 |
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為台灣嵌入式記憶體技術奠基 國研院發表SOT-MRAM研發平台 (2021.11.09)
國研院半導體中心，今日舉行次世代嵌入式記憶體技術，「自旋軌道力矩式磁性記憶體（SOT-MRAM）」研究成果發表會。該記憶體採用垂直異向性的結構，不僅電耗更低、體積更小，同時讀寫的速度也更快，能夠整合至高性能的邏輯IC之中，進一步實現下世代的處理器晶片 |
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2021 VLSI聚焦記憶體內運算與AI晶片 台灣供應鏈優勢再現 (2021.04.20)
國際超大型積體電路技術研討會（VLSI）是台灣半導體產業的年度盛事，今（20）日在經濟部技術處的支持下2021 VLSI順利登場，今年焦點落在目前市場最熱門的AI晶片、新興記憶體、小晶片（chiplet）系統、量子電腦、半導體材料、生物醫學電子等最新技術進展 |
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研發存儲級記憶體！ 旺宏與IBM續攻相變化記憶體技術 (2018.12.25)
旺宏電子（Macronix）董事會昨日決議通過，將與IBM簽訂合約，繼續進行「相變化記憶體（PCM）」的合作開發。雙方將共同分擔研發費用，為期3年，合約計畫期間為明年1月22日至2022年1月21日 |
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來揚科技攜手主力分團 進軍次世代記憶體市場 (2016.05.16)
傳統記憶體的製程技術已達物理極限，國際大廠無不全力布局，一場次世代記憶體大戰已隱然成型。為搶占未來全球記憶體市場，來揚科技整合本身電路設計能力後，以開放宏觀的精神，進軍次世代記憶體市場 |
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HGST與60East Technologies攜手帶動AMPS實現即時資料分析 (2015.01.27)
HGST FlashMAX PCIe固態硬碟能增加儲存效能和容量，進而改善大數據分析速度，同時保留軟硬體的既有投資。
HGST（昱科環球儲存科技為Western Digital集團旗下子公司）宣佈60East Technologies已認證 HGST FlashMAX II PCIe 固態硬碟（SSD）於 AMPS（進階傳訊處理系統） |
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宇瞻全面啟動企業3.0升級計畫 (2015.01.23)
宇瞻科技發佈2015年企業營運展望，將啟動企業3.0升級計畫，期許帶來突破性發展，再創佳績。除專注數位儲存本業發展，宇瞻科技未來將以擴大事業體系的經營模式，在2015年秉持3大發展策略全速衝刺- 產業策略結盟，攜手深耕利基市場；聚焦開拓新興市場，探索事業新藍海；穩固人力扎根，建立完整企業人才供應鏈 |
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MRAM技術再突破 工研院啟動全新記憶體戰局!!（下） (2013.07.08)
MRAM是一種磁性多層膜的堆疊結構，在這當中最為關鍵的三層，上下兩層為磁性層（一為參考層，一為自由層），中間則為絕緣層。早前的MRAM的磁性層的磁化方向是水平排列，並可由電流來控制旋轉方向 |
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MRAM技術再突破 工研院啟動全新記憶體戰局!!（上） (2013.07.02)
在工研院即將進入歡慶40週年院慶之際，工研院電光所的研究團隊所開發出來的「垂直式自旋磁性記憶體技術」榮獲傑出研究金牌獎，此一技術乍看之下並不顯眼，但該記憶體技術的背後，卻也牽動了未來全球半導體大廠的勢力佈局 |
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工研院成立40週年 引領未來行動「微」新生活 (2013.06.28)
隨著智慧手機及iPAD熱潮興起，小、快、輕、省電不僅是未來行動裝置趨勢，各家廠商也積極朝向「元件微小化」進行突破。工研院在成立40週年前夕，發表工研院傑出研究獎與推廣服務獎共三項金牌技術 |
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希捷科技推出單一碟片上儲存1TB硬碟機 (2011.05.10)
希捷科技近日宣布，突破磁錄密度的技術限制，領先全球推出第一台在單一碟片上提供1TB儲存容量的3.5吋硬碟機，滿足全球家庭和辦公室使用者對於數位內容儲存需求的爆炸性成長 |
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相較於一般風扇，壓電風扇的優勢為何？ (2009.05.08)
相較於一般風扇，壓電風扇的優勢為何？ |
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新一代NVM記憶體之爭 MRAM贏面大 (2008.11.12)
全球先進半導體設備及製程技術供應商Aviza今日（11/13）在台表示，MRAM有希望從多家新一代非揮發性記憶體（Non-Volatile Memory;NVM）技術中脫穎而出，並取代目前主流的SRAM，成為終極的通用型記憶體解決方案 |
