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Littelfuse新款800V N溝道耗盡型MOSFET採用改進型SOT-223-2L封裝 (2023.10.17)
Littelfuse公司推出一款800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET新品CPC3981Z。
與標準SOT-223封裝相比，這款新產品的SOT-223-2L封裝移除中間引腳，將漏極與閘極之間的引腳間距，從1.386毫米增加到超過4毫米間距增加簡化寬輸入電壓電源的隔離管理，實現精巧的印刷電路板佈局 |
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高壓分離式功率元件HV Si-MOSFET應用效能 (2023.08.01)
本文重點介紹Littelfuse提供2 kV以上的高壓分離式功率元件HV Si-MOSFET。 |
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英飛凌擴展CoolSiC系列高電壓產品 符合1500 VDC應用需求 (2022.06.08)
高功率密度的需求日益成長，因此推動了開發人員在其應用中採用1500 VDC系統規格，以提高每台逆變器的額定功率和降低系統成本。不過，1500 VDC型系統在系統設計上帶來更多挑戰，例如在高DC電壓下快速切換，這通常需要多層次拓撲，因此需要複雜的設計和相對較多的元件數量 |
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英飛凌EiceDRIVER F3增強型系列閘極驅動器 提供全面短路保護 (2022.03.11)
英飛凌科技股份有限公司宣佈推出EiceDRIVER F3（1ED332x）增強型系列閘極驅動器，進一步壯大其EiceDRIVER增強型隔離閘極驅動器的產品陣容。
該系列閘極驅動器能夠提供可靠且全面的保護，防止短路故障的發生，讓包括IGBT在內的傳統功率開關以及CoolSIC寬能隙元件得到有效保護 |
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從原理到實例：詳解SiC MOSFET如何提高電源轉換效率 (2021.10.12)
本文以Cree/Wolfspeed的第三代SiC MOSFET為例，分析其效率和散熱能力方面的優勢，並說明如何使用此類元件進行設計。 |
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英飛凌22千瓦工業通用馬達驅動參考設計置入最新技術 (2021.09.07)
現今系統方案在電力電子和半導體市場上漸受重視，英飛凌科技推出一個經過測試的工業參考設計該參考設計是一個通用的馬達驅動器，額定功率為22千瓦，可直接在380至480伏的三相電網上運行 |
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英飛凌推出全新650 V CoolSiC Hybrid IGBT分立元件系列 (2021.02.18)
英飛凌科技推出具 650 V 阻斷電壓，採獨立封裝的 650 V CoolSiC Hybrid IGBT 產品組合。新款 CoolSiC 混合型產品系列結合了 650 V TRENCHSTOP 5 IGBT 技術的主要優點及共同封裝單極結構的CoolSiC 蕭特基二極體 |
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英飛凌推出伺服馬達專用的碳化矽MADK評估板 (2020.09.09)
馬達應用佔了電力電子應用市場的主要區塊。英飛凌科技宣佈推出CoolSiC MOSFET模組化應用設計套件(MADK)評估板，有助縮短該相關應用的產品上市時間。EVAL-M5-IMZ120R-SIC評估板是最高7.5kW馬達的MADK平台系列之一員，特別針對伺服馬達應用所設計的3相變頻器板 |
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英飛凌推出新款1700V CoolSiC MOSFET 採用高壓SMD封裝 (2020.06.08)
繼今年稍早推出的650V產品後，英飛凌科技擴充旗下CoolSiC MOSFET系列電壓等級，現在更新添具專屬溝槽式半導體技術的1700V電壓等級產品。新款1700V表面黏著裝置(SMD)產品充分發揮了碳化矽(SiC)強大的物理特性，提供優異的可靠性和低切換及導通損耗 |
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全新Prime Block 50與60 mm模組 專為馬達及UPS應用所設計 (2019.12.18)
Infineon Technologies Bipolar 公司擴大其閘流體/二極體模組產品組合。全新 Prime Block 50 mm 模組採用焊料接合技術，60 mm 模組則採用壓接技術。其設計目的，在 60 mm 模組電流超過 600 A 或 50 mm 模組電流超過 330 A 時，兩者皆可獲得最高效能 |
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英飛凌 Easy 系列推出新封裝 提供目前最豐富的12 mm無基板功率模組產品組合 (2019.05.07)
英飛凌科技 旗下 Easy 產品系列新增 Easy 3B 新封裝，加上既有的 Easy 1B 與 2B 封裝，在高12mm無基板的功率模組中成為最豐富的產品組合。Easy 3B 是延伸現有逆變器設計的理想平台，可以輸出更高的功率且其在機構方面不需過多的改變 |
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英飛凌推出具備保護功能之逆導 IGBT 為感應加熱應用提供創新解決方案 (2019.01.10)
英飛凌科技股份有限公司針對感應加熱應用推出 TRENCHSTOP Feature IGBT保護型系列產品。相較於標準 RC-H5 逆導 IGBT，新款產品整合了邏輯功能與專用驅動 IC，可在單一裝置中提供多種可編程的保護功能 |
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Littelfuse推出1700V、10hm碳化矽MOSFET (2018.10.23)
Littelfuse公司推出其首款1700V碳化矽MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充碳化矽MOSFET器件組合。LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化矽MOSFET產品的重要補充，也是Littelfuse公司已發佈的1200V碳化矽MOSFET和蕭特基二極體的強有力補充 |
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英飛凌推出 650 V TRENCHSTOP IGBT6 適用1 kW 小型馬達驅動 (2018.08.28)
英飛凌科技股份有限公司推出新一代 TRENCHSTOP IGBT6技術。此分立式產品具備 650 V 阻斷電壓，並針對需要長使用時間、高可靠性及高效率的特定應用進行最佳化，例如：主要家電與小型家電、工業縫紉機，以及用於風扇、幫浦及其他 BLDC 馬達中的通用型馬達 |
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Wolfspeed推出首個滿足汽車AEC-Q101標準的SiC器件系列 (2018.08.09)
科銳旗下Wolfspeed宣佈推出E-系列碳化矽（SiC）半導體器件，這一新型產品家族針對電動汽車EV和可再生能源市場，能夠為車載汽車功率轉換系統、非車載充電、太陽能逆變器和其它戶外應用提供目前最高的功率密度和長期可靠性 |
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APEC 2018—Littelfuse推出超低導通電阻1200V碳化矽MOSFET (2018.03.16)
Littelfuse公司與從事碳化矽技術開發的美商Monolith Semiconductor推出兩款1200V碳化矽(SiC) n通道增強型MOSFET，進而擴展第一代電源半導體元件組合。Littelfuse與Monolith在2015年結成戰略合作關係，旨在為工業和汽車市場開發電源半導體 |
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全新緩啟動器模組：適用於各種電流等級 (2018.03.14)
英飛凌關係企業 Infineon Technologies Bipolar 公司推出 InfineonR Power Start，專為低電壓的緩啟動器應用所設計。全新模組系列滿足市場對於成本效益與體積精巧的半導體解決方案之需求 |
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英飛凌EconoPIM 3可將額定電流提升至150 A (2017.07.25)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技(Infineon) 擴充 IGBT 模組EconoPIM 3 包裝系列，新款模組的額定電流提升 50%，從100 A 增加到 150 A。全新功率模組以同樣的封裝尺寸滿足對較高功率密度日益增加的需求，典型應用包括電梯、手扶梯、風扇或幫浦內的馬達控制 |
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英飛凌新款IGBT模組以62 mm封裝提供更高的功率密度 (2017.03.22)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技(Infineon)擴展旗下62 mm IGBT模組陣容。全新電源模組能在尺寸不變下，滿足對更高功率密度日益增加的需求。業經驗證的62 mm封裝中採用較大的晶片區域及調整過的DCB基板，以實現更高的功率密度 |
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英飛凌700 V CoolMOSTM P7系列適用於準諧振反馳式拓樸 (2017.01.25)
【德國慕尼黑訊】英飛淩科技（Infineon）針對現今及未來的準諧振反馳式拓樸趨勢，推出全新700V CoolMOS P7系列。相較於目前所用的超接面技術，全新MOSFET的效能適用於軟切換拓墣應用，包括智慧型手機、平板電腦充電器，還有筆記型電腦電源供應器 |
