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CTIMES / 超薄體矽
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典故		 電子工業改革與創新者 - IEEE

IEEE的創立，是在於主導電子學的地位、促進電子學的創新，與提供會員實質上的協助。
創新FDSOI能帶調製元件雙接地層Z2FET (2018.02.02)
本文介紹一個創新的依靠能帶調製方法的快速開關 Z2-FET DGP元件，該元件採用先進的FDSOI製造技術，具有超薄的UTBB，並探討在室溫取得的DC實驗結果。

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