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Ramtron采用低功耗非挥发记忆体来控制时间 (2012.04.22)
Ramtron在日前举行的矽谷Design West/嵌入式系统会议 (Silicon Valley Design West/Embedded Systems Conference) 中发布了新型的低功耗F-RAM记忆体产品，进一步加强公司协助客户改善产品能效、存取速度和安全性的能力 |
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Ramtron采用低功耗非挥发内存来控制时间 (2012.04.22)
Ramtron在日前举行的硅谷Design West/嵌入式系统会议 (Silicon Valley Design West/Embedded Systems Conference) 中发布了新型的低功耗F-RAM内存产品，进一步加强公司协助客户改善产品能效、访问速度和安全性的能力 |
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Ramtron和Revere Security合作安全高能效组件 (2012.03.16)
Ramtron 和Revere Security 日前宣布双方建立合作关系，计划将Revere Security的Hummingbird HB-2安全技术整合到Ramtron的非发挥性铁电随机存取内存 产品中。根据合作协议，Ramtron和Revere Security将共同进行产品开发、共同营销安全半导体解决方案，并共同制订推动安全技术整合进F-RAM产品中的蓝图 |
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Ramtron和Revere Security合作安全高能效元件 (2012.03.16)
Ramtron 和Revere Security 日前宣布双方建立合作关系，计画将Revere Security的Hummingbird HB-2安全技术整合到Ramtron的非发挥性铁电随机存取记忆体 产品中。根据合作协定，Ramtron和Revere Security将共同进行产品开发、共同行销安全半导体解决方案，并共同制订推动安全技术整合进F-RAM产品中的蓝图 |
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Ramtron任命Scott Emley担任市场推广??总裁 (2011.11.03)
Ramtron近日宣布，任命Scott Emley担任市场推广??总裁。Emley先生将带领全球市场推广团队，全面负责包括应用和技术支援的产品线推广，并向Ramtron首席执行长Eric Balzer报告。
Emley先生来自德州仪器（TI），曾担任德州仪器ARM微处理器、DSP和多核产品的市场推广总监 |
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Ramtron任命Scott Emley担任市场推广副总裁 (2011.11.03)
Ramtron近日宣布，任命Scott Emley担任市场推广副总裁。Emley先生将带领全球市场推广团队，全面负责包括应用和技术支持的产品线推广，并向Ramtron首席执行长Eric Balzer报告。
Emley先生来自德州仪器（TI），曾担任德州仪器ARM微处理器、DSP和多核产品的市场推广总监 |
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Ramtron开始供应高速串列F-RAM器件样品 (2011.10.31)
Ramtron日前宣布，已开始供应4-至64Kb串列非挥发性铁电RAM（F-RAM）记忆体的预认证样品，新产品於Ramtron在美国的新晶圆供应源以铁电记忆体制程生产，具有1万亿次（1e12）的读/写周期、低功耗和无延迟（NoDelay）写入等特性 |
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Ramtron开始供应高速串行F-RAM器件样品 (2011.10.31)
Ramtron日前宣布，已开始供应4-至64Kb串行非挥发性铁电RAM（F-RAM）内存的预认证样品，新产品于Ramtron在美国的新晶圆供应源以铁电内存制程生产，具有1万亿次（1e12）的读/写周期、低功耗和无延迟（NoDelay）写入等特性 |
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Ramtron推出64Kb串行F-RAM内存样片 (2011.07.27)
低功耗铁电内存（F-RAM) 和整合式半导体供货商Ramtron于近日共同宣布，该公司最新铁电随机存取内存（F-RAM） 产品的样片现已在IBM的新生产线生产。此一新产品FM24C64C是64 Kb、5V串行F-RAM器件，以总线速率运行且无写入延迟，并支持高达1万亿次（1e12）的读/写周期，这比相同等级的EEPROM器件高出100万倍 |
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Ramtron推出64Kb串列F-RAM记忆体样片 (2011.07.27)
低功耗铁电记忆体（F-RAM) 和整合式半导体供应商Ramtron於近日共同宣布，该公司最新铁电随机存取记忆体（F-RAM） 产品的样片现已在IBM的新生产线生产。此一新产品FM24C64C是64 Kb、5V串列F-RAM器件，以汇流排速率运行且无写入延迟，并支援高达1万亿次（1e12）的读/写周期，这比相同等级的EEPROM器件高出100万倍 |
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Ramtron推出具有宽工作电压范围的串并列记忆体 (2011.04.01)
Ramtron International Corporation (简称Ramtron)近日宣布，推出W系列的 F-RAM记忆体，W系列器件具有串列I2C、SPI介面和并列介面（parallel interface），可提供从2.7V到5.5V的宽电压范围。此外，W系列具有更高的性能，如工作电流（active current）需求降低了25%至50%，串列器件的首次存取启动（初始上电）速度加快20倍 |
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Ramtron推出具有宽工作电压范围的串并列内存 (2011.04.01)
Ramtron International Corporation (简称Ramtron)近日宣布，推出W系列的 F-RAM内存，W系列器件具有串行I2C、SPI接口和并列接口（parallel interface），可提供从2.7V到5.5V的宽电压范围。此外，W系列具有更高的性能，如工作电流（active current）需求降低了25%至50%，串行器件的首次存取启动（初始上电）速度加快20倍 |
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Ramtron推出FRAM无线记忆体的商用样品 (2010.08.12)
Ramtron於前日（8/10）宣布，开始提供其具有F-RAM特性之MaxArias无线记忆体之商用样品。Ramtron的MaxArias系列无线记忆体，将非挥发性F-RAM记忆体技术的低功耗、高速度和高耐久性等特性 |
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Ramtron推出FRAM无线内存的商用样品 (2010.08.12)
Ramtron于前日（8/10）宣布，开始提供其具有F-RAM特性之MaxArias无线内存之商用样品。Ramtron的MaxArias系列无线内存，将非挥发性F-RAM内存技术的低功耗、高速度和高耐久性等特性 |
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Ramtron 1Mbit串行F-RAM提升至汽车标准要求 (2010.07.06)
Ramtron日前宣布，其1Mbit、2.0V-3.6V串行F-RAM内存FM25V10-G，通过了AEC-Q100 Grade 3标准认证，这项严格的汽车等级认证是汽车电子设备委员会（Automotive Electronic Council, AES）针对集成电路而制定的应力测试认证 |
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Ramtron 1Mbit串列F-RAM提升至汽车标准要求 (2010.07.06)
Ramtron日前宣布，其1Mbit、2.0V-3.6V串列F-RAM记忆体FM25V10-G，通过了AEC-Q100 Grade 3标准认证，这项严格的汽车等级认证是汽车电子设备委员会（Automotive Electronic Council, AES）针对积体电路而制定的应力测试认证 |
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Ramtron推出新款32Kb串行非挥发性RAM器件 (2009.06.30)
Ramtron宣布推出一款编号为 FM24CL32的串行非挥发性RAM器件，它可提供高速读/写的性能、低电压运作，以及出色的数据保持能力。FM24CL32是32Kb 的非挥发性内存，工作电压的范围为2.7V至3.6V，采用8脚的SOIC封装，采用双线 (I2C) 协议；并提供快速存取、无延迟 (NoDelay) 写入、几乎没有限制的读/写次数 (1E14) 及低功耗特性 |
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Ramtron推出新款32Kb串列非挥发性RAM器件 (2009.06.30)
Ramtron宣布推出一款编号为 FM24CL32的串列非挥发性RAM器件，它可提供高速读/写的性能、低电压运作，以及出色的资料保持能力。FM24CL32是32Kb 的非挥发性记忆体，工作电压的范围为2.7V至3.6V，采用8脚的SOIC封装，采用双线 (I2C) 协定；并提供快速存取、无延迟 (NoDelay) 写入、几??没有限制的读/写次数 (1E14) 及低功耗特性 |
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Ramtron非挥发性状态保存器通过汽车标准认证 (2009.05.21)
非挥发性铁电记忆体(F-RAM)和整合式半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布，其两款非挥发性状态保存器(nonvolatile state saver)FM1105-GA和FM1106-GA已经通过AEC-Q100 Grade 1认证 |
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Ramtron非挥发性状态保存器通过汽车标准认证 (2009.05.21)
非挥发性铁电内存(F-RAM)和整合式半导体产品开发商及供货商Ramtron International Corporation宣布，其两款非挥发性状态保存器(nonvolatile state saver)FM1105-GA和FM1106-GA已经通过AEC-Q100 Grade 1认证 |
当传输技术进入数字时代之后，用户及厂商对于数字显示的质量要求越来越注重，结合显示适配器硬件的数字显示接口标准，其发展进度因而更受到瞩目。
