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Power Integrations超薄型PSU設計 適用於800VDC AI資料中心 (2026.06.01)
在COMPUTEX 2026前夕，高壓能效電源轉換整合晶片商Power Integrations今（1）日推出兩款專為800VDC AI資料中心打造的新款超薄緊湊型輔助電源供應器（PSU）參考設計，首度採用高度整合、耐1700V額定電壓的PowiGaN單一HEMT IC，強調可節省空間、簡化系統架構、提升可靠性並減少BOM零件數，實現最高達88%效率 |
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軟銀砸75億歐元插旗法國 聯手施耐德電機打造機器人5GW資料中心 (2026.05.31)
軟銀集團（SoftBank Group）在法國總統馬克宏主辦的「Choose France 2026」峰會上宣布，正式承諾將在法國大手筆投資高達750億歐元，布建容量高達5GW的AI資料中心基礎設施。
這項投資不僅強化歐洲的技術主權，更將透過與法國重電巨頭施耐德電機（Schneider Electric）的深度協作，在敦克爾克建立一座高度機器人自動化的整合工廠 |
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解鎖 AI 協作機櫃 宏正亮相 COMPUTEX (2026.05.29)
受惠於全球AI需求持續暢旺、資本支出與消費成長回溫，宏正自動科技近日揭曉財務表現，於今年1~4月累計合併營收達17.33 億元，獲亞洲市場挹注成長動能，更創下4月單月歷史新高 |
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Rambus擴展記憶體模組晶片組解決方案 從伺服器延伸至Client平台 (2026.05.28)
隨著代理AI興起，現代PC能即時規劃、執行並調整工作流程。這類工作負載需要持續性的上下文記憶、並行處理能力、以及處理器與系統記憶體之間持續的資料傳輸。同時，將DDR5記憶體速度超越6400 MT/s，也會帶來新的技術挑戰，包括訊號衰減、時脈抖動（Clock Jitter）、以及時序不穩定等問題 |
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專為可攜式電源而設計： 英飛凌CoolGaN BDS 40 V G3系列可縮減82%的占板面積 (2026.05.28)
全球電源系統和物聯網領域半導體領導者英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進一步擴展了其CoolGaN BDS 40 V G3雙向開關（BDS）系列，推出了兩款新產品：IGK048B041S和IGK120B041S |
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Microchip 推出 3.3 kV HV-D3 mSiC 功率模組，支援 AI 資料中心固態變壓器應用 (2026.05.28)
Microchip Technology今日宣布推出全新 3.3 kV HV-D3 mSiC 功率模組，專為加速 AI 超大規模資料中心與其他高電壓電力應用導入固態變壓器（Solid-State Transformer, SST）而設計。新模組於業界標準 62 mm 封裝中整合 3.3 kV 碳化矽（SiC）mSiC MOSFET 與蕭特基二極體，可實現從中壓電網直接向伺服器機櫃提供高效率電力傳輸 |
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半導體產值邁向1.3兆美元新高 Gartner示警「記憶體通膨」 (2026.05.25)
Gartner發布最新半導體市場預測報告，指出在全球AI運算、資料中心網路與電源需求的瘋狂拉動下，2026年全球半導體總營收將首次突破1.3兆美元大關，迎來近二十年來最強勁的增長週期 |
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嘉實多發展AI液冷技術 打造液冷維護服務網絡 (2026.05.25)
因應AI產業對極致算力的追求，新一代AI平台將單機架功耗推向200kW大關，全球AI基礎設施正迎來一場散熱革命。傳統氣冷瀕臨極限，液冷從未來選項加速成為當前標配。在此關鍵轉折點 |
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TI將重啟類比晶片調漲 產線面臨結構性調整 (2026.05.24)
根據外媒報導，供應鏈最新報告指出，晶片大廠德州儀器（TI）即將啟動新一輪的價格調整，部分關鍵電子元件的漲幅預計將達到驚人的15%至85%。
市場數據顯示，本次調價的範疇極廣，涵蓋數位隔離器（Digital isolators）、隔離驅動IC（Isolation driver ICs）以及電源管理晶片（PMIC） |
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為中壓汽車架構選擇48伏特連接器須知 (2026.05.20)
由於車載系統因法規與電子需求轉向48V中電壓架構，本文探討48伏特降本減重的優勢、連接器選型策略、防電弧安全機制，以及解決方案。 |
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2026.6月第415期AI時代關鍵驅動力48V (2026.05.20)
當一顆AI晶片的功耗衝破千瓦（Watt），當一座資料中心的耗電量足以供應一座中型城市，傳統的電力架構已然崩解。這不再只是「插上插頭」那麼簡單。
這是一場關於48V電壓轉型、液冷整合與極限能源效率的革命 |
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ROHM開發出第5代SiC MOSFET，高溫下導通電阻可降低約30%！ (2026.05.19)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）開發出全新一代EcoSiC—「第5世代SiC MOSFET」，非常適用於xEV（電動車）牽引逆變器*等汽車電動動力總成系統，以及AI伺服器電源和資料中心等工業設備電源 |
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ROHM開發出擴充性出色的車載SoC適用電源解決方案 (2026.05.19)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）開發出結合PMIC*1「BD968xx-C系列」和DrMOS*2「BD96340MFF-C」的全新電源解決方案，適用於ADAS（先進駕駛輔助系統）、DMS（駕駛監控系統）和感測相機等車載應用SoC*3 |
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恩智浦CoreRide協助車廠 偕生態系合攻48V架構商機 (2026.05.19)
恩智浦半導體（NXP）今（19）日宣佈推出CoreRide Z248區域參考系統（zonal reference system），這是半導體產業首款經預先驗證、能直接用於設計的區域基礎，結合先進48 V能源分配、確定性資料處理、功能安全以及實時回應功能 |
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德州儀器：AI算力物理限制已到 800V高壓直流供電成唯一解方 (2026.05.19)
德州儀器（TI）美國總部算力技術專家 Pradeep S. Shenoy 在受訪時直言，AI 晶片對電力的索求正以驚人的幾何級數飆升。 |
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設計汽車過壓保護原型 (2026.05.18)
本文介紹如何使用拋負載保護電路來防止原型製作過程中出現意外的過壓/反向電壓情況。這種簡單的電路能夠在因一時疏忽而接錯電源時，保護電路不受損壞，進而避免數小時的重工時間 |
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利用動態功率控制抑制電流輸出數位類比轉換器的過熱問題 (2026.05.15)
針對拉/灌電流數位類比轉換器（IDAC）在驅動負載時因電壓差導致功耗與過熱問題，本文提出動態功率控制機制，結合單電感多輸出技術的DC-DC架構，精準調整電源電壓，有效降低晶片內部功耗，並且提升系統效率與可靠性 |
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IC設計整合多效能實現智慧行動電源 (2026.05.15)
本文介紹一種採用ADI產品設計的智慧行動電源充電器，其彈性設定能夠接受多種輸入電源，並在智慧管理電池充電的同時為負載供電。 |
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聯電推14奈米eHV FinFET平台 助力新一代智慧手機顯示技術創新 (2026.05.14)
聯華電子推出用於顯示驅動IC的14奈米嵌入式高壓(eHV) FinFET技術平台，並可提供製程設計套件供客戶進行設計導入。 |
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Littelfuse發表C&K TDB系列半間距DIP開關 優化高密度PCB空間配置 (2026.05.13)
Littelfuse, Inc.（宣布推出 Littelfuse / C&KR TDB 系列。此系列為超小型、半間距（half-pitch）表面貼裝 DIP 開關，專為空間受限且對可靠性與製造性要求嚴格的高密度 PCB 設計所打造 |
