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羅姆量產溝槽式SiC 導通電阻降低再下一城 (2015.08.14) 在全球功率半導體市場,SiC(碳化矽)元件的發展,一直是主要業者所十分在意的重點,理由在於它與傳統的MOSFET或是IGBT元件相較,SiC可以同時兼顧高開關頻率或高操作電壓,反觀MOSFET與IGBT只能各自顧及開關頻率與操作電壓,顯然地SiC元件相對地較有技術優勢 |
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羅姆量產溝槽式SiC 導通電阻降低再下一城 (2015.08.14) 在全球功率半導體市場,SiC(碳化矽)元件的發展,一直是主要業者所十分在意的重點,理由在於它與傳統的MOSFET或是IGBT元件相較,SiC可以同時兼顧高開關頻率或高操作電壓,反觀MOSFET與IGBT只能各自顧及開關頻率與操作電壓,顯然地SiC元件相對地較有技術優勢 |
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