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英飛凌CoolSiC MOSFET 750 V G2系列提供超低導通電阻和新型封裝 (2026.01.27)
為了提供汽車和工業電源應用超高系統效率和功率密度，英飛凌科技（Infineon）推出全新封裝CoolSiC MOSFET 750V G2系列。該系列現提供 Q-DPAK、D2PAK等多種封裝，產品組合覆蓋在25°C情況下的典型導通電阻(RDS(on))值60 mΩ

瞄準AI供電與高效馬達驅動英飛凌OptiMOS 7 MOSFET再進化 (2025.12.17)
隨著 AI 運算、工業自動化與高效能電力系統快速成長，各行各業對高耗能應用的需求持續攀升，電力電子技術在功率密度、效率與可靠性功能正面臨前所未有的挑戰。在此趨勢下，分立式功率 MOSFET 的角色愈發關鍵，而如何透過應用導向的設計思維，進一步突破已趨成熟的 MOSFET 技術，成為半導體供應商競逐的重點

英飛凌推出新一代氮化鎵功率分立元件 (2024.11.26)
最新一代CoolGaN電晶體實現了現有平台的快速重新設計。新元件改進了性能指標，確保為重點應用帶來具有競爭力的切換性能。與主要同類產品和英飛凌之前的產品系列相比，CoolGaN 650 V G5電晶體輸出電容中儲存的能量（Eoss）降低了多達50%，漏源電荷（Qoss）和閘極電荷（Qg）均減少了多達 60%

英飛凌推出EiceDRIVER 125 V高側閘極驅動器故障即時保護電池 (2024.11.07)
在電機驅動和開關模式電源（SMPS）等電池供電應用中，電源架構通常要求在模組發生故障時能夠斷開該模組與主電源軌的連接。為實現這一功能，往往會採用MOSFET等高側斷開開關，以防止負載短路影響電池

英飛凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定義 AI 伺服器電源功效 (2024.06.26)
隨著人工智慧（AI）處理器對功率的要求日益提高，伺服器電源（PSU）必須在不超出伺服器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，因為高階 GPU 的能源需求激增。至2030 年，每顆高階 GPU 晶片的能耗可能達到 2千瓦或以上

STM32WBA系列推動物聯網發展多協定無線連接成效率關鍵 (2024.05.27)
ST新推出的STM32WBA系列無線MCU備受業界矚目。這款創新產品支援多種無線協議，高度整合並強調低功耗，有望為物聯網應用帶來全新的發展動能。

數位電源控制好幫手：PowerSmart^™ Development Suite 使開發過程更Smart (2024.02.24)
於當今日新月異的時代，數位化智能產品應用頻繁出現在人們的生活週遭，其中智能與高效的數位電源更是重要的區塊之一。然而，數位電源的開發需具備許多關鍵技術的開發能力

Bourns全新大功率電流檢測電阻為電力電子設計節省能源 (2023.12.19)
美商柏恩（Bourns）推出四款全新大功率、極低歐姆電流檢測電阻系列，可在電力電子設計中節省能源，同時最大化感測性能。該系列具有低溫度係數（TCR），可在廣泛的溫度範圍內提供操作精度和長期穩定性

CGD、群光電能與劍橋大學共組GaN生態系統開發先進高功率方案 (2023.11.06)
英商劍橋氮化鎵元件有限公司（Cambridge GaN Devices；CGD）是一家專注於研發高效能氮化鎵（GaN）功率元件的半導體公司，致力於打造更環保的電子元件。近日與台灣的電力電子系統整合方案供應商群光電能（Chicony Power Technology）、英國劍橋大學技術服務部（CUTS）簽署一項三方協議

Littelfuse新款800V N溝道耗盡型MOSFET採用改進型SOT-223-2L封裝 (2023.10.17)
Littelfuse公司推出一款800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET新品CPC3981Z。與標準SOT-223封裝相比，這款新產品的SOT-223-2L封裝移除中間引腳，將漏極與閘極之間的引腳間距，從1.386毫米增加到超過4毫米間距增加簡化寬輸入電壓電源的隔離管理，實現精巧的印刷電路板佈局

Littelfuse新款800V N溝道耗盡型MOSFET採用改進型SOT-223-2L封裝 (2023.10.17)
Littelfuse公司推出一款800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET新品CPC3981Z。 (圖一)Littelfuse新款800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET--CPC3981Z，適合工業、能源、電訊和LED照明市場的電源應用

英飛凌推出靜態開關用的全新工業級和車規級高壓超接面MOSFET (2023.07.31)
在靜態開關應用中，電源設計著重於得以降低導通損耗、優化熱性能、實現精簡輕便的系統設計；英飛凌科技（Infineon）正擴大其CoolMOS S7 系列高壓超接面（SJ）MOSFET 的產品陣容因應所需