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數位電源控制好幫手：PowerSmart™ Development Suite 使開發過程更Smart (2024.02.24)
於當今日新月異的時代，數位化智能產品應用頻繁出現在人們的生活週遭，其中智能與高效的數位電源更是重要的區塊之一。然而，數位電源的開發需具備許多關鍵技術的開發能力 |
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Bourns全新大功率電流檢測電阻為電力電子設計節省能源 (2023.12.19)
美商柏恩（Bourns）推出四款全新大功率、極低歐姆電流檢測電阻系列，可在電力電子設計中節省能源，同時最大化感測性能。該系列具有低溫度係數（TCR），可在廣泛的溫度範圍內提供操作精度和長期穩定性 |
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CGD、群光電能與劍橋大學共組GaN生態系統 開發先進高功率方案 (2023.11.06)
英商劍橋氮化鎵元件有限公司（Cambridge GaN Devices；CGD）是一家專注於研發高效能氮化鎵（GaN）功率元件的半導體公司，致力於打造更環保的電子元件。近日與台灣的電力電子系統整合方案供應商群光電能（Chicony Power Technology）、英國劍橋大學技術服務部（CUTS）簽署一項三方協議 |
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Littelfuse新款800V N溝道耗盡型MOSFET採用改進型SOT-223-2L封裝 (2023.10.17)
Littelfuse公司推出一款800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET新品CPC3981Z。
與標準SOT-223封裝相比，這款新產品的SOT-223-2L封裝移除中間引腳，將漏極與閘極之間的引腳間距，從1.386毫米增加到超過4毫米間距增加簡化寬輸入電壓電源的隔離管理，實現精巧的印刷電路板佈局 |
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英飛凌推出靜態開關用的全新工業級和車規級高壓超接面MOSFET (2023.07.31)
在靜態開關應用中，電源設計著重於得以降低導通損耗、優化熱性能、實現精簡輕便的系統設計；英飛凌科技（Infineon）正擴大其CoolMOS S7 系列高壓超接面（SJ）MOSFET 的產品陣容因應所需 |
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ST：以全面解決方案 為工業市場激發智慧並永續創新 (2023.07.17)
意法半導體透過2023年工業巡迴論壇，更進一步在不同城市，為不同客戶延伸和展現工業解決方案、技術和產品。 透過「激發智慧 永續創新」的主軸，與會者能透過各種技術和產品以及解決方案的介紹，親身體驗前沿技術和激發智慧的應用 |
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ST：提供全面系統解決方案 為工業激發智慧並永續創新 (2023.07.17)
利用意法半導體2023年工業巡迴論壇的機會，CTIMES零組件雜誌也特別專訪了意法半導體亞太區功率離散和類比產品部行銷和應用副總裁 Francesco Muggeri，詳細闡述ST在工業領域的技術創新 |
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意法半導體100W和65W VIPerGaN功率轉換晶片 可節省空間 (2023.05.26)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）之高壓寬能隙功率轉換晶片系列新增VIPerGaN100和VIPerGaN65兩款產品，適合最大功率100W和65W的單開關準諧振（Quasi-Resonant，QR）返馳式轉換器 |
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英飛凌推出新雙通道電氣隔離EiceDRIVER閘極驅動器IC (2023.05.24)
如今，3.3 kW的開關式電源（SMPS）透過採用圖騰柱PFC級中的超接面（SJ矽）功率MOSFET和碳化矽（SiC）功率MOSFET，以及能夠滿足高壓DC-DC功率轉換要求的氮化鎵（GaN）功率開關等最新技術，使得功率密度可以達到100 W/inch3 |
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CGD推出ICeGaN 650 V氮化鎵HEMT系列產品 (2023.05.12)
Cambridge GaN Devices（CGD）今日宣布推出第二代的 ICeGaN 650 V氮化鎵 HEMT 系列產品，提供領先業界的耐用性、易於使用及最高效率等特色。H2 系列 ICeGaN HEMT 採用 CGD 的智慧閘極介面，幾乎消除一般 E 模式 GaN 的各種弱點，大幅加強過電壓耐用性、提供更高的抗雜訊閾值，以及提升 dV/dt 抑制和 ESD 保護效果 |
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新系列STM32H5微控制器 提升下一代智慧應用性能和安全性 (2023.03.17)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）宣布推出STM32H5系列高性能微控制器（MCU）。新系列產品導入了STM32Trust TEE管理器安全技術，為智慧物聯網裝置提供先進的安全功能。
新STM32H5 MCU系列搭載Arm的Cortex-M33嵌入式內核心 |
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2022年MCU年度新品喜好度總票選 (2023.02.24)
MCU市場發展，客戶的需求主要都來自於供需的考量。從8位元到32位元市場，廠商持續推出新產品的態勢不變。在MCU市場歐美品牌依然是使用者最為主流的選擇。 |
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英飛凌推出950 V CoolMOS PFD7系列 大幅提高功率密度 (2022.11.09)
英飛凌推出全新CoolMOS PFD7高壓MOSFET系列，為950 V超接面（SJ）技術樹立新標竿。全新950 V系列具有出色的效能與易用性，採用整合的快速二極體，確保元件堅固耐用，同時降低了BOM（物料清單）成本 |
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ST新推出PFC升壓轉換器 有效簡化應用設計與提升設計靈活度 (2022.10.14)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）新推出之L4985A／B和L4986A／B功率因數校正（power-factor correction，簡稱PFC）升壓轉換器整合800V啟動電路以及意法獨有的輔助工具，有效簡化應用設計、提升設計靈活度 |
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無橋圖騰柱功率因數校正控制器 實現AC-DC 功率轉換效益 (2022.06.25)
隨著電源開關頻率不斷提高的發展趨勢，開關器件中的動態損耗會產生更大的影響。本文舉例說明如何使用無橋圖騰柱功率因數校正控制器，進而實現出色的 AC-DC 功率轉換效率 |
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ST發表全新MDmesh MOSFET 提升功率密度與效能 (2022.06.08)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）新推出之STPOWER MDmesh M9和DM9矽基N通道超接面多汲極功率MOSFET電晶體適用於設計資料中心服務器、5G基礎建設、平面電視的交換式電源供應器（Switched-Mode Power Supply，SMPS） |
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安森美推出TOLL封裝SiC MOSFET 小尺寸封裝高性能低損耗 (2022.05.11)
安森美（onsemi）， 在PCIM Europe展會發佈全球首款To-Leadless（TOLL）封裝的碳化矽（SiC）MOSFET。該電晶體滿足了對適合高功率密度設計的高性能開關元件迅速增長的需求。直到最近，SiC元件一直採用明顯需要更大空間的D2PAK 7接腳封裝 |
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ST VIPerGaN50功率電源轉換器 優化效能與小型化 (2022.04.12)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）新款VIPerGaN50能簡化最高50W的單開關反激式功率電源轉換器設計，並整合一個650V氮化鎵（GaN）功率電晶體，優化電源的效能與小型化 |
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英飛凌推出650 V CoolSiC MOSFET 展現極高系統可靠性 (2022.04.01)
英飛凌科技股份有限公司推出650 V CoolSiC MOSFET系列新產品。該產品具有高可靠性、易用性和經濟實用等特點，能夠提供卓越的性能。
這些SiC元件採用英飛凌先進的SiC溝槽式工藝、精簡的D2PAK表面貼裝 7 引腳封裝和 |
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英飛凌推出EiceDRIVER 2EDN閘極驅動器晶片 提升功率性能 (2022.03.31)
英飛凌科技股份有限公司近日推出新一代EiceDRIVER 2EDN閘極驅動器晶片系列。新元件是對現有2EDN驅動器晶片產品線的補充，可減少外接元件的數量，並節省設計空間，從而實現更高的系統效率、卓越的功率密度和持續的系統穩健性 |
